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J-GLOBAL ID：202202287831519775   整理番号：22A0956460

Janus2H-VSSe単分子層:不揮発性バレー分極を有する二次元バレートロニック半導体【JST・京大機械翻訳】

Janus 2H-VSSe monolayer: two-dimensional valleytronic semiconductor with nonvolatile valley polarization

著者 (2件)： Abdollahi Mahsa (Department of Physics, University of Guilan, P.O. Box 41335-1914, Rasht, Iran) ,  Bagheri Tagani Meysam (Department of Physics, University of Guilan, P.O. Box 41335-1914, Rasht, Iran)
資料名： Journal of Physics. Condensed Matter  (Journal of Physics. Condensed Matter)
巻： 34  号： 18  ページ： 185702 (12pp)  発行年： 2022年 
JST資料番号： B0914B  ISSN： 0953-8984  CODEN： JCOMEL  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 近年のホットトピックとしてのバレートロンは,量子情報キャリアとして電子の谷自由度に焦点を合わせている。ここでは,2バンドk.pモデルを高スループット密度汎関数理論(DFT)計算と組み合わせることにより,Janus2H-VSSe単分子層の谷状態を研究し,自発分極を持つ。非揮発性の谷分極状態は,主にV-3d電子配置によって寄与した固有強磁性から生じ,VSSe単分子層の自発的面外双極子モーメントではなかった。有効ハミルトニアンモデルとDFT計算は,谷分裂が,主に,スピン-軌道結合効果から生じる小さいスピン分裂から,磁気交換場のスピン分裂より起こることを示した。有効DiracハミルトニアンとKubo式を用いて,異常な谷Hall効果と明確な谷選択性円二色性を示すVSSe単分子層の縦方向と横方向の伝導率と吸収スペクトルをさらに計算した。著者らの計算は,外部歪を適用することによるBerry曲率に関連した谷とスピン分裂の修正が磁気モーメント配向と電場の変化より顕著であることを示した。特定のスピンと谷ラベルを持つキャリア蓄積は,有効ハミルトニアンパラメータの調整によって操作できることを見出した。2H-VSSe単分子層の堅牢な面内磁気秩序と自発的谷分極の共存は,スピントロニクス,バレートロニクスおよびオプトエレクトロニクスデバイスにおける応用の可能性を支持した。Please refer to the publisher for the copyright holders. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： ハミルトニアン ,  強磁性 ,  電場 ,  *半導体 ,  *分極 ,  *単分子層 ,  磁気 ,  有効ハミルトニアン ,  *二次元 ,  磁気秩序 ,  自発分極 ,  密度汎関数法 ,  ロバスト性 ,  スピントロニクス
準シソーラス用語： スピン分裂 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (3件)： 有機化合物の薄膜  (BK14070L) ,  表面の電子構造  (BM02080J) ,  物理的手法を用いた吸着の研究  (CB12043P)

タイトルに関連する用語 (3件)： 単分子層 ,  不揮発性 ,  バレー分極