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J-GLOBAL ID：202202287838120307   整理番号：22A0847645

(110)CナノドットHダイヤモンド上のMOSFET:ALD Al_2O_3/ダイヤモンド界面解析と高性能正規OFF動作実現【JST・京大機械翻訳】

MOSFETs on (110) C-H Diamond: ALD Al2O3/Diamond Interface Analysis and High Performance Normally-OFF Operation Realization

著者 (9件)： Liu Benjian (Faculty of Science and Engineering, Waseda University, Shinjuku, Tokyo, Japan) ,  Bi Te (Faculty of Science and Engineering, Waseda University, Shinjuku, Tokyo, Japan) ,  Fu Yu (Faculty of Science and Engineering, Waseda University, Shinjuku, Tokyo, Japan) ,  Kudara Ken (Faculty of Science and Engineering, Waseda University, Shinjuku, Tokyo, Japan) ,  Imanishi Shoichiro (Faculty of Science and Engineering, Waseda University, Shinjuku, Tokyo, Japan) ,  Liu Kang (National Key Laboratory of Science and Technology on Advanced Composites in Special Environments, Harbin Institute of Technology, Harbin, China) ,  Dai Bing (National Key Laboratory of Science and Technology on Advanced Composites in Special Environments, Harbin Institute of Technology, Harbin, China) ,  Zhu Jiaqi (National Key Laboratory of Science and Technology on Advanced Composites in Special Environments, Harbin Institute of Technology, Harbin, China) ,  Kawarada Hiroshi (Faculty of Science and Engineering, Waseda University, Shinjuku, Tokyo, Japan)
資料名： IEEE Transactions on Electron Devices  (IEEE Transactions on Electron Devices)
巻： 69  号： 3  ページ： 949-955  発行年： 2022年 
JST資料番号： C0222A  ISSN： 0018-9383  CODEN： IETDAI  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： (110)ダイヤモンド上の2-D正孔ガス(2DHG)の正孔濃度は,他の面のそれよりも高く,パワーデバイス応用の最良の選択である。原子層堆積(ALD)Al_2O_3/(110)C≡Hダイヤモンド界面構造の詳細な解析は極めて重要である。本研究では,薄い(10nm)と厚い(100nm)ALD Al_2O_3層を有するMOSFETを作製した。(110)C≡Hダイヤモンド上のAl_2O_3の微細構造を分析した。ALD Al_2O_3/C≡Hダイヤモンドの鋭い界面を高分解能透過型電子顕微鏡(HRTEM)により観察した。ダイヤモンドMOSFETと増強モードシリコンMOSFETを用いたカスコード構造を作製し,その高性能を確認した。Copyright 2022 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *界面 ,  正孔 ,  微細構造 ,  表面構造 ,  *ダイヤモンド ,  *MOSFET
準シソーラス用語： HRTEM ,  界面構造 ,  *ナノドット ,  パワーデバイス ,  カスコード ,  正孔濃度 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (7件)： ナノドット ,  ダイヤモンド ,  MOSFET ,  ALD ,  界面 ,  解析 ,  高性能