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J-GLOBAL ID：202202287900693562   整理番号：22A0856761

シリコンヘテロ接合太陽電池のためのp型エミッタ層の結晶性を促進するCO_2プラズマ処理【JST・京大機械翻訳】

CO₂ plasma treatment to promote crystallinity of p-type emitter layer for the silicon heterojunction solar cells

著者 (1件)： Jiang Yuanjian (Department of Physics and Electronic Engineering, Heze University, Heze, P. R. China)
資料名： Journal of Materials Science. Materials in Electronics  (Journal of Materials Science. Materials in Electronics)
巻： 33  号： 7  ページ： 3670-3675  発行年： 2022年 
JST資料番号： W0003A  ISSN： 0957-4522  CODEN： JMTSAS  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： シリコンヘテロ接合(SHJ)太陽電池の性能を促進するようにエミッタ層の特性を改善するために,i-a-Si:H/p型エミッタ界面上にCO_2プラズマ処理を行った。p型エミッタ層の電気的,光学的および構造的特性ならびに不動態化特性へのその効果を調べた。この種の核誘起処理を用いて,エミッタの伝導率は著しく改善され,6~8桁増加した。そして,p型層の光学バンドギャップE_04は増加し,処理時間に依存して1.98と2.04eVの間で調整できた。さらに,a-Si:H膜への酸素のドーピングにより,処理は全表面不動態化を劣化させる。その結果,SHJ太陽電池の開放電圧と短絡電流は両方ともわずかに減少した。しかし,p型層の改善により,CO_2プラズマ処理による太陽電池のFill因子および変換効率は明らかに向上した。本研究は,SHJ太陽電池のエミッタ層の特性を改善し,従ってそれらの効率を改善する効果的な方法を提供する。Copyright The Author(s), under exclusive licence to Springer Science+Business Media, LLC, part of Springer Nature 2021 Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *ヘテロ接合 ,  界面 ,  *太陽電池 ,  加工時間 ,  *ケイ素 ,  酸素 ,  不動態化 ,  短絡電流 ,  ドーピング ,  *結晶度 ,  *プラズマ処理 ,  光学ギャップ
準シソーラス用語： 開回路電圧 ,  表面不動態化 ,  *ヘテロ接合太陽電池 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 太陽電池  (NC03084O)

タイトルに関連する用語 (6件)： シリコン ,  ヘテロ接合太陽電池 ,  エミッタ層 ,  結晶性 ,  促進 ,  プラズマ処理