Arulkumar S. について
Advanced Materials and Devices Laboratory, PSG Institute of Advanced Studies, Peelamedu, Coimbatore, 641004, India について
Parthiban S. について
Advanced Materials and Devices Laboratory, PSG Institute of Advanced Studies, Peelamedu, Coimbatore, 641004, India について
Kwon J.Y. について
School of Integrated Technology, Yonsei University, Incheon, 406-840, Republic of Korea について
Uraoka Y. について
Division of Materials Science, Graduate School of Science and Technology, Nara Institute of Science and Technology, 8916-5 Takayama, Ikoma, Nara, 630-0101, Japan について
Bermundo J.P.S. について
Division of Materials Science, Graduate School of Science and Technology, Nara Institute of Science and Technology, 8916-5 Takayama, Ikoma, Nara, 630-0101, Japan について
Mukherjee Arka について
Emerging Nanoelectronic Devices Research Laboratory (eNDR Lab), School of Physics, Indian Institute of Science Education and Research Thiruvananthapuram (IISER TVM), Maruthamala PO, Vithura, Thiruvananthapuram, 695551, Kerala, India について
Das Bikas C. について
Emerging Nanoelectronic Devices Research Laboratory (eNDR Lab), School of Physics, Indian Institute of Science Education and Research Thiruvananthapuram (IISER TVM), Maruthamala PO, Vithura, Thiruvananthapuram, 695551, Kerala, India について
Vacuum について
移動度 について
応力解析 について
電圧 について
電流 について
薄膜 について
構造解析 について
ケイ素 について
薄膜トランジスタ について
非晶質 について
酸化インジウム について
分圧 について
ドーパント について
アモルファスシリコン について
酸素分圧 について
ターンオン電圧 について
ポストアニーリング について
サブ閾値スイング について
スパッタリング について
金属酸化物半導体 について
薄膜トランジスタ について
低温プロセス について
酸化物薄膜 について
トランジスタ について
スパッタリング について
プロセス について
高移動度 について
シリコン について
酸化インジウム について
薄膜トランジスタ について
作製 について