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J-GLOBAL ID：202202287992572190   整理番号：22A0919830

スパッタリングプロセスによる高移動度シリコン酸化インジウム薄膜トランジスタの作製【JST・京大機械翻訳】

High mobility silicon indium oxide thin-film transistor fabrication by sputtering process

著者 (7件)： Arulkumar S. (Advanced Materials and Devices Laboratory, PSG Institute of Advanced Studies, Peelamedu, Coimbatore, 641004, India) ,  Parthiban S. (Advanced Materials and Devices Laboratory, PSG Institute of Advanced Studies, Peelamedu, Coimbatore, 641004, India) ,  Kwon J.Y. (School of Integrated Technology, Yonsei University, Incheon, 406-840, Republic of Korea) ,  Uraoka Y. (Division of Materials Science, Graduate School of Science and Technology, Nara Institute of Science and Technology, 8916-5 Takayama, Ikoma, Nara, 630-0101, Japan) ,  Bermundo J.P.S. (Division of Materials Science, Graduate School of Science and Technology, Nara Institute of Science and Technology, 8916-5 Takayama, Ikoma, Nara, 630-0101, Japan) ,  Mukherjee Arka (Emerging Nanoelectronic Devices Research Laboratory (eNDR Lab), School of Physics, Indian Institute of Science Education and Research Thiruvananthapuram (IISER TVM), Maruthamala PO, Vithura, Thiruvananthapuram, 695551, Kerala, India) ,  Das Bikas C. (Emerging Nanoelectronic Devices Research Laboratory (eNDR Lab), School of Physics, Indian Institute of Science Education and Research Thiruvananthapuram (IISER TVM), Maruthamala PO, Vithura, Thiruvananthapuram, 695551, Kerala, India)
資料名： Vacuum  (Vacuum)
巻： 199  ページ： Null  発行年： 2022年 
JST資料番号： E0347A  ISSN： 0042-207X  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 非晶質ケイ素インジウムオキシド(a-イソ薄膜を,薄膜トランジスタ(TFT)能動チャネル応用のために,室温でスパッタリングプロセスにより堆積した。堆積したISO薄膜の非晶質性は構造解析によって確認し,膜は平均表面粗さが約0.11nmであった。酸素分圧を0から20%まで変化させ,ISO活性チャネル層を堆積し,伝導から半導体挙動への遷移を示した。5%酸素分圧で堆積し,100°Cでポストアニールしたa-ISO TFTは,31.7cm2/Vの飽和移動度,2.3×1010のオンオフ電流比,-5Vのターンオン電圧,および0.25V/decのサブ閾値スイングを示した。Bias応力解析は,ISO TFTデバイスの安定動作をさらに確認した。シリコンドーパントは強力なキャリアサプレッサーとして作用し,a-ISO TFTデバイスの性能を高める。Copyright 2022 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *移動度 ,  応力解析 ,  電圧 ,  電流 ,  *薄膜 ,  構造解析 ,  *ケイ素 ,  *薄膜トランジスタ ,  非晶質 ,  *酸化インジウム ,  分圧 ,  ドーパント ,  アモルファスシリコン
準シソーラス用語： 酸素分圧 ,  ターンオン電圧 ,  ポストアニーリング ,  サブ閾値スイング , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： スパッタリング ,  金属酸化物半導体 ,  薄膜トランジスタ ,  低温プロセス

分類 (2件)： 酸化物薄膜  (BK14050P) ,  トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (7件)： スパッタリング ,  プロセス ,  高移動度 ,  シリコン ,  酸化インジウム ,  薄膜トランジスタ ,  作製