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J-GLOBAL ID：202202288500774436   整理番号：22A0640138

AlGaN/GaN HEMTにおけるオフ状態ストレスにより誘起された閾値電圧の2段階劣化の研究【JST・京大機械翻訳】

Investigating two-stage degradation of threshold voltage induced by off-state stress in AlGaN/GaN HEMTs

著者 (18件)： Lin Yu-Shan (Department of Physics, National Sun Yat-Sen University, Kaohsiung 80424, Taiwan) ,  Chen Yi-Lin (School of Advanced Materials and Nanotechnology, Xidian University, Xi’an 710071, People’s Republic of China) ,  Chang Ting-Chang (Department of Physics, National Sun Yat-Sen University, Kaohsiung 80424, Taiwan) ,  Chang Ting-Chang (The Center of Crystal Research, National Sun Yat-Sen University, Kaohsiung 80424, Taiwan) ,  Ciou Fong-Min (Department of Physics, National Sun Yat-Sen University, Kaohsiung 80424, Taiwan) ,  Zhu Qing (State Key Discipline Laboratory of Wide Bandgap Semiconductor Technology, School of Microelectronics, Xidian University, Xi’an 710071, People’s Republic of China) ,  Tai Mao-Chou (Department of Photonics, National Sun Yat-Sen University, Kaohsiung 80424, Taiwan) ,  Su Wan-Ching (Department of Materials and Optoelectronic Science, National Sun Yat-Sen University, Kaohsiung 804, Taiwan) ,  Kuo Ting-Tzu (Department of Electrical Engineering, National Sun Yat-Sen University, Kaohsiung 80424, Taiwan) ,  Chen Kuan-Hsu (Department of Physics, National Sun Yat-Sen University, Kaohsiung 80424, Taiwan) ,  Zhu Jie-Jie (State Key Discipline Laboratory of Wide Bandgap Semiconductor Technology, School of Microelectronics, Xidian University, Xi’an 710071, People’s Republic of China) ,  Zhu Jie-Jie (School of Microelectronics, Xidian University, Xi’an 710071, People’s Republic of China) ,  Mi Min-Han (State Key Discipline Laboratory of Wide Bandgap Semiconductor Technology, School of Microelectronics, Xidian University, Xi’an 710071, People’s Republic of China) ,  Mi Min-Han (School of Microelectronics, Xidian University, Xi’an 710071, People’s Republic of China) ,  Ma Xiao-Hua (State Key Discipline Laboratory of Wide Bandgap Semiconductor Technology, School of Microelectronics, Xidian University, Xi’an 710071, People’s Republic of China) ,  Ma Xiao-Hua (School of Microelectronics, Xidian University, Xi’an 710071, People’s Republic of China) ,  Hao Yue (State Key Discipline Laboratory of Wide Bandgap Semiconductor Technology, School of Microelectronics, Xidian University, Xi’an 710071, People’s Republic of China) ,  Hao Yue (School of Microelectronics, Xidian University, Xi’an 710071, People’s Republic of China)
資料名： Semiconductor Science and Technology  (Semiconductor Science and Technology)
巻： 37  号： 2  ページ： 025017 (5pp)  発行年： 2022年 
JST資料番号： E0503B  ISSN： 0268-1242  CODEN： SSTEET  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本研究では,DモードSi_3N_4/AlGaN/GaN金属-絶縁体-半導体-高電子移動度トランジスタにおける二段階劣化現象を系統的に議論した。オフ状態応力の間,閾値電圧は短期間で正にシフトし,次いで負のシフトが続く。対照的に,オフ状態漏れは全応力を通して減少し続けた。種々の測定条件の結果は,異なる領域でのキャリアトラッピングがこの現象を支配することを示した。大きな横方向電場の下では,電子-正孔対が発生し,ゲート誘電体層にトラップされる。さらに,応力温度を上げると,ゲート電極からのキャリアによる衝撃イオン化はより厳しくなる。最後に,劣化挙動の物理的モデルを検証するために,異なるゲート絶縁体厚さを有するデバイスを実行した。Please refer to the publisher for the copyright holders. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 温度 ,  *電圧 ,  電場 ,  半導体 ,  劣化 ,  *アルミニウム化合物 ,  衝突イオン化 ,  電子正孔対 ,  *HEMT ,  ゲート絶縁膜 ,  絶縁体
準シソーラス用語： *閾値電圧 ,  トラッピング ,  ゲート電極 ,  *AlGaN/GaN ,  *オフ状態 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (3件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  ダイオード  (NC03050R) ,  半導体結晶の電気伝導  (BM03043X)

タイトルに関連する用語 (9件)： AlGaN ,  GaN ,  HEMT ,  オフ状態 ,  ストレス ,  誘起 ,  閾値電圧 ,  段階 ,  研究