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J-GLOBAL ID：202202288866586234   整理番号：22A0561575

エピタキシャル層トンネル電界効果トランジスタの性能に及ぼす界面トラップ電荷と温度の影響【JST・京大機械翻訳】

Impact of interface trap charge and temperature on the performance of epitaxial layer tunnel field effect transistor

著者 (2件)： Debnath Radhe Gobinda (Department of Electronics and Communication Engineering, National Institute of Technology Silchar, Assam, 788010, India) ,  Baishya Srimanta (Department of Electronics and Communication Engineering, National Institute of Technology Silchar, Assam, 788010, India)
資料名： Microelectronics Journal  (Microelectronics Journal)
巻： 120  ページ： Null  発行年： 2022年 
JST資料番号： A0186A  ISSN： 0026-2692  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ソース材料としてSi_(1-x)Ge_xを有するエピタキシャル層トンネル電界効果トランジスタ(ETLTFET)の性能に及ぼす界面トラップの影響のシミュレーション研究を,FinFETと比較して,界面トラップ分布,エネルギー,ランダムトラップ変動(RTF),および温度に関して研究した。本研究は,与えられたトラップ型に対するETLTFETとFinFETのV_thシフトの同様の傾向を明らかにした。ETLTFETとFinFETの両方に対して,半導体中間バンドギャップ以上のエネルギーを有するドナー界面トラップはI_ONとI_OFFのシフトを引き起こし,一方,アクセプタ界面トラップは比較的広いエネルギー範囲を有した。さらに,トラップ誘起SS分解は,ETLTFETにおいて,その対応物よりも小さかった。ナノスケールデバイスにおけるRTFの場合,界面トラップにより誘起されたI_ONとV_thの変動はトラップの位置によって変化し,ETLTFETにおける変動はFinFETよりも比較的小さかった。さらに,界面トラップ電荷の存在はデバイス温度感度を変化させ,センサ応用に利用できるデバイスに有害である。Copyright 2022 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： アクセプタ ,  *界面 ,  シミュレーション ,  ドナー ,  *FET【トランジスタ】 ,  センサ ,  ソース【半導体】 ,  温度感受性
準シソーラス用語： FinFET ,  ナノスケール ,  *界面トラップ ,  *エピタキシャル層 ,  *トンネル電界効果トランジスタ ,  *捕獲電荷 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： TFET ,  界面トラップ電荷(ITC) ,  温度感度 ,  垂直BTBT ,  エピタキシャル層

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (4件)： エピタキシャル層 ,  トンネル電界効果トランジスタ ,  界面トラップ ,  電荷