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J-GLOBAL ID：202202289128056738   整理番号：22A0553312

ソースゲートトランジスタと標準薄膜トランジスタ間の短チャネル効果の比較研究【JST・京大機械翻訳】

Comparative Study of Short-Channel Effects Between Source-Gated Transistors and Standard Thin-Film Transistors

著者 (5件)： Wang Zhenze (Shandong Technology Center of Nanodevices and Integration, School of Microelectronics, Shandong University, Jinan, China) ,  Luo Li (Shandong Technology Center of Nanodevices and Integration, School of Microelectronics, Shandong University, Jinan, China) ,  Wang Yiming (Shandong Technology Center of Nanodevices and Integration, School of Microelectronics, Shandong University, Jinan, China) ,  Zhang Jiawei (State Key Laboratory of Crystal Materials, Shandong Technology Center of Nanodevices and Integration, School of Microelectronics, Shandong University, Jinan, China) ,  Song Aimin (State Key Laboratory of Crystal Materials, Shandong Technology Center of Nanodevices and Integration, School of Microelectronics, Shandong University, Jinan, China)
資料名： IEEE Transactions on Electron Devices  (IEEE Transactions on Electron Devices)
巻： 69  号： 2  ページ： 561-566  発行年： 2022年 
JST資料番号： C0222A  ISSN： 0018-9383  CODEN： IETDAI  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： バーチャルリアリティと拡張現実の開発により,ディスプレイの画素サイズはサブマイクロメータ領域に達している。主な課題の一つは,駆動回路における薄膜トランジスタ(TFT)の短チャネル効果である。本研究では,インジウム-ガリウム-亜鉛-オキシド源作動トランジスタ(IGZO SGT)の短チャネル効果を報告する。シミュレーション結果は,チャネル長さを500nmまで減らすとき,IGZO SGTの出力インピーダンスは,同じ次元の従来のIGZO TFTのものより,7Vのドレイン電源電圧(V_DS),7Vのドレインインピーダンス(V_DS)の4.13×10(V_GS)まで,まだ高いことを示した。。”IGZO SGTの出力インピーダンスは,まだ,最大4.13×10(V_GS)Ω・ゲート・電源電圧(V_DS)が,7V,437倍,同じ次元の従来のIGZO TFTのものより高いことを示した。。”その結論]は,IGZO SGTの出力インピーダンスは,まだ,最大4.13x10SiW8Ω・ゲート・ゲート・電源電圧(V_GS)である。SGTsにおけるSchottky源接触は,TFTと比較して,バックチャネル電流を効果的に抑制できることが分かった。短チャネルSGTsの閾値電圧は,TFTsとは対照的に,異なるドレイン電圧を適用するとき,ほとんど同じのままである。V_DSがV_GS=5Vで5から7Vに変化すると,IGZO TFTのドレイン電流は23.7%増加したが,SGTのドレイン電流は0.8%増加した。500nmのチャネル長を有するIGZO TFTsとSGTsの実験結果は,シミュレーション結果に対するドレイン電圧に類似の依存性を示した。短チャネル効果に対するこのような非感受性は,SGTsを高ピクセル密度ディスプレイ回路における電流駆動トランジスタとして有望な候補にする。Copyright 2022 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： シミュレーション ,  電圧 ,  電流 ,  *トランジスタ ,  *薄膜トランジスタ ,  画素 ,  表示装置 ,  駆動回路 ,  *ゲート【半導体】 ,  *短チャネル効果
準シソーラス用語： チャネル長 ,  閾値電圧 ,  ドレイン電流 ,  電源電圧 ,  酸化インジウム・ガリウム・亜鉛 ,  *短チャネル , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (4件)： 標準 ,  薄膜トランジスタ ,  短チャネル効果 ,  研究