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J-GLOBAL ID：202202289197158276   整理番号：22A0943145

純粋な金属媒介摩擦を用いた単結晶4H-SiC基板の機械加工における損傷のない表面/サブ表面付近を得るための新しいアプローチ【JST・京大機械翻訳】

A novel approach to obtain near damage-free surface/subsurface in machining of single crystal 4H-SiC substrate using pure metal mediated friction

著者 (8件)： Wu Min (National and Local Joint Engineering Research Center for Intelligent Manufacturing Technology of Brittle Material Products, Huaqiao University, Xiamen 361021, China) ,  Wu Min (Institute of Manufacturing Engineering, Huaqiao University, Xiamen 361021, China) ,  Huang Hui (National and Local Joint Engineering Research Center for Intelligent Manufacturing Technology of Brittle Material Products, Huaqiao University, Xiamen 361021, China) ,  Huang Hui (Institute of Manufacturing Engineering, Huaqiao University, Xiamen 361021, China) ,  Luo Qiufa (National and Local Joint Engineering Research Center for Intelligent Manufacturing Technology of Brittle Material Products, Huaqiao University, Xiamen 361021, China) ,  Luo Qiufa (Institute of Manufacturing Engineering, Huaqiao University, Xiamen 361021, China) ,  Wu Yueqin (National and Local Joint Engineering Research Center for Intelligent Manufacturing Technology of Brittle Material Products, Huaqiao University, Xiamen 361021, China) ,  Wu Yueqin (Institute of Manufacturing Engineering, Huaqiao University, Xiamen 361021, China)
資料名： Applied Surface Science  (Applied Surface Science)
巻： 588  ページ： Null  発行年： 2022年 
JST資料番号： B0707B  ISSN： 0169-4332  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 純金属(鉄とニッケル)による単結晶炭化ケイ素(4H-SiC)の高速摩擦誘起除去挙動を調べ,SiC基板のC面とSi面の両方について表面下損傷を調べた。C面SiC基板では,ほぼ損傷の無い表面下が得られた。亀裂,転位,積層欠陥および格子歪を含む結晶欠陥をSi面SiC基板に対して証明した。最高の材料除去率(MRR)は,純ニッケルを用いたSi面で8.9μm/minであった。ケイ化物および/または酸化物の形成は,4H-SiCのC面およびSi面の材料除去の両方が,摩擦誘起化学相互作用によって支配されることを示した。純粋金属を用いた単結晶4H-SiC基板の摩擦反応除去モデルも本論文で提案した。Copyright 2022 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 亀裂 ,  格子歪 ,  相互作用 ,  *単結晶 ,  *ケイ素 ,  鉄 ,  ニッケル ,  酸化物 ,  炭化ケイ素 ,  *機械工作 ,  ケイ化物 ,  積層欠陥 ,  純金属
準シソーラス用語： *4H-SiC ,  材料除去 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (6件)： SiC ,  摩擦 ,  除去機構 ,  化学反応 ,  鉄 ,  ニッケル

分類 (5件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V) ,  酸化物薄膜  (BK14050P) ,  金属-絶縁体-半導体構造  (BM03085X) ,  トランジスタ  (NC03070N) ,  半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (6件)： 摩擦 ,  単結晶 ,  4H-SiC ,  機械加工 ,  損傷 ,  サブ