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J-GLOBAL ID：202202289497721866   整理番号：22A0924753

歪多層カーボンナノチューブに基づくメモリスタ【JST・京大機械翻訳】

Memristors based on strained multi-walled carbon nanotubes

著者 (6件)： Il’ina Marina V. (Southern Federal University, Institute of Nanotechnologies, Electronics and Equipment Engineering, Shevchenko St., 2, Taganrog 347922, Russian Federation) ,  Il’in Oleg I. (Southern Federal University, Research Laboratory of Functional Nanomaterials Technology, Shevchenko St., 2, Taganrog 347922, Russian Federation) ,  Osotova Olga I. (Southern Federal University, Research Laboratory of Functional Nanomaterials Technology, Shevchenko St., 2, Taganrog 347922, Russian Federation) ,  Smirnov Vladimir A. (Southern Federal University, Institute of Nanotechnologies, Electronics and Equipment Engineering, Shevchenko St., 2, Taganrog 347922, Russian Federation) ,  Ageev Oleg A. (Southern Federal University, Institute of Nanotechnologies, Electronics and Equipment Engineering, Shevchenko St., 2, Taganrog 347922, Russian Federation) ,  Ageev Oleg A. (Southern Federal University, Research and Education Center “Nanotechnologies”, Shevchenko St., 2, Taganrog 347922, Russian Federation)
資料名： Diamond and Related Materials  (Diamond and Related Materials)
巻： 123  ページ： Null  発行年： 2022年 
JST資料番号： W0498A  ISSN： 0925-9635  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： メムリスタの創造は携帯機器と神経形態システムにおける不揮発性メモリの開発の展望方向の一つである。近年,炭素ナノ構造は,メムリスタを創製するための有望な材料としてそれ自身を確立している。本論文では,大気圧および真空条件下での歪カーボンナノチューブ(CNT)の抵抗スイッチングの研究結果を示した。歪CNTの高および低抵抗状態(HRS/LRS)における抵抗比は真空下で10倍増加することを示した。この事実は,歪CNTのスイッチングプロセスに及ぼす吸着プロセスの影響を除外することを可能にした。歪CNTに基づくメムリスタ構造のHRS/LRS比に及ぼす上部電極材料(グラファイト,白金およびタングステン)の影響を確立した。タングステンは,タングステンと多層CNTの仕事関数の類似した値により,最も適切な材料であることを示した。直径35nm,長さ747nmの歪CNTに基づくメムリスタのプロトタイプを作製した。比HRS/LRS2・102で500サイクル以上のパンボードの繰返し抵抗スイッチングを示した。得られた結果は,カーボンナノチューブに基づくメムリスタの創製の基礎を提供する。Copyright 2022 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 仕事関数 ,  スイッチング ,  タングステン ,  炭素 ,  白金 ,  グラファイト ,  圧電気 ,  不揮発性メモリ ,  ナノ構造 ,  *カーボンナノチューブ ,  *多層カーボンナノチューブ
準シソーラス用語： ヒステリシスループ ,  抵抗スイッチング ,  携帯機器 ,  *メモリスタ , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (6件)： カーボンナノチューブ ,  圧電 ,  メモリスタ ,  ヒステリシスループ ,  変形 ,  ナノピエゾトロニクス

分類 (1件)： 炭素とその化合物  (YB02060D)

タイトルに関連する用語 (3件)： 歪 ,  多層カーボンナノチューブ ,  メモリスタ