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J-GLOBAL ID：202202289618829387   整理番号：22A1113396

ゾル-ゲル誘導亜鉛スズ酸化物薄膜トランジスタの電気特性に及ぼすガンマ線照射の影響【JST・京大機械翻訳】

The effect of gamma-ray irradiation on the electrical characteristics of sol-gel derived zinc tin oxide thin film transistors

著者 (10件)： Wang S. (Department of Electrical and Computer Engineering, Auburn University, Auburn, AL 36849, USA) ,  Uprety S. (Department of Physics, Auburn University, Auburn, AL 36849, USA) ,  Mirkhani V. (Department of Physics, Auburn University, Auburn, AL 36849, USA) ,  Hanggi D. (Department of Physics, Auburn University, Auburn, AL 36849, USA) ,  Yapabandara K. (Department of Physics, Auburn University, Auburn, AL 36849, USA) ,  Khanal M.P. (Department of Physics, Auburn University, Auburn, AL 36849, USA) ,  Ahyi A.C. (Department of Physics, Auburn University, Auburn, AL 36849, USA) ,  Hamilton M.C. (Department of Electrical and Computer Engineering, Auburn University, Auburn, AL 36849, USA) ,  Sk M.H. (Center for Advanced Materials, CAM, Qatar University, Doha 2713, Qatar) ,  Park M. (Department of Physics, Auburn University, Auburn, AL 36849, USA)
資料名： Solid-State Electronics  (Solid-State Electronics)
巻： 191  ページ： Null  発行年： 2022年 
JST資料番号： H0225A  ISSN： 0038-1101  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ゾル-ゲルスピンコーティング法により作製した酸化亜鉛薄膜トランジスタについて,γ線照射の種々の線量の影響を調べた。10のMRadγ線照射線量に対して負の閾値電圧シフトが観察されたが,より高い放射線量(50MRadと100MRad)の後,シフトは正になった。ドレイン電流は10のMRad(空気)照射でわずかな増加を示したが,照射のより高い線量で減少した。照射線量が増加するにつれて,電界効果移動度はわずかに低下した。サブ閾値スイングと対応する界面欠陥は照射量の増加とともに増大した。ZTO TFTは100MRad(空気)後に中程度の劣化のみを示し,放射線-ハードエレクトロニクス応用のための実行可能な候補となった。Copyright 2022 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： γ線 ,  *γ線照射 ,  *亜鉛 ,  放射線 ,  *薄膜トランジスタ ,  *ゲル ,  酸化亜鉛 ,  *酸化スズ ,  放射線量 ,  *電気特性 ,  照射線量 ,  *ゾル-ゲル法
準シソーラス用語： ドレイン電流 ,  閾値電圧シフト ,  サブ閾値スイング , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： ガンマ線照射 ,  ゾル-ゲル ,  亜鉛スズ酸化物 ,  薄膜トランジスタ

分類 (2件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  半導体の放射線による構造と物性の変化  (BK16123E)

タイトルに関連する用語 (7件)： ゾル-ゲル ,  誘導 ,  亜鉛 ,  スズ酸化物 ,  薄膜トランジスタ ,  電気特性 ,  ガンマ線照射