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J-GLOBAL ID:202202289757357875   整理番号:22A1101855

レーザ誘起前方移動における超薄チップ移動の理論的モデリングと実験的研究【JST・京大機械翻訳】

Theoretical Modeling and Experimental Studies of Ultra-Thin Chip Transfer in Laser-Induced Forward Transfer
著者 (6件):
資料名:
巻: 12  号:ページ: 570-577  発行年: 2022年 
JST資料番号: W0590B  ISSN: 2156-3950  CODEN: ITCPC8  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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レーザ誘起前方移動(LIFT)における超薄チップの複雑な移動プロセスを理解し最適化するために,基板インピーダンス動的放出層(DRL)のインピーダンスチップ構造を提案し,有限要素と凝集ゾーンモデル(CZM)を開発し,レーザ射出針形成と超薄チップ剥離進展を調べ,LIFTにおける超薄チップの衝撃伝達挙動の解析に用いた。モデルは,レーザ吸収,伝導,体積膨張,および,基板潤滑DRL Lagrangeチップ構造における亀裂伝搬を考慮した。モデルの結果は,より長いレーザ照射時間が,より大きい最大蒸気圧とチップ移動速度を作り出すことができることを示した。さらに,LIFTには3つの移動条件がある:レーザフルエンスに敏感である移動,成功した移動,および衝撃破壊はない。成功した超薄チップ転送を達成するために,LIFTウィンドウを確立し,LIFTにおける適切なレーザフルエンスのための指針を提供した。Copyright 2022 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】
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分類 (1件):
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固体デバイス製造技術一般 
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