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J-GLOBAL ID：202202289812069723   整理番号：22A1049728

FET型ガスセンサ用の埋込みポリSiマイクロヒータにおけるCr/Au接触信頼性の解析【JST・京大機械翻訳】

Analysis of Cr/Au contact reliability in embedded poly-Si micro-heater for FET-type gas sensor

著者 (8件)： Park Jinwoo (Department of Electrical and Computer Engineering and Inter-university Semiconductor Research Center, Seoul National University, Seoul 08826, Republic of Korea) ,  Jung Gyuweon (Department of Electrical and Computer Engineering and Inter-university Semiconductor Research Center, Seoul National University, Seoul 08826, Republic of Korea) ,  Hong Seongbin (Department of Electrical and Computer Engineering and Inter-university Semiconductor Research Center, Seoul National University, Seoul 08826, Republic of Korea) ,  Jeong Yujeong (Department of Electrical and Computer Engineering and Inter-university Semiconductor Research Center, Seoul National University, Seoul 08826, Republic of Korea) ,  Shin Wonjun (Department of Electrical and Computer Engineering and Inter-university Semiconductor Research Center, Seoul National University, Seoul 08826, Republic of Korea) ,  Kim Donghee (Department of Electrical and Computer Engineering and Inter-university Semiconductor Research Center, Seoul National University, Seoul 08826, Republic of Korea) ,  Lee Chayoung (Department of Electrical and Computer Engineering and Inter-university Semiconductor Research Center, Seoul National University, Seoul 08826, Republic of Korea) ,  Lee Jong-Ho (Department of Electrical and Computer Engineering and Inter-university Semiconductor Research Center, Seoul National University, Seoul 08826, Republic of Korea)
資料名： Sensors and Actuators. B. Chemical  (Sensors and Actuators. B. Chemical)
巻： 360  ページ： Null  発行年： 2022年 
JST資料番号： T0967A  ISSN： 0925-4005  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： マイクロヒータを有するガスセンサは,様々な分野で広く研究されている。しかし,それらの信頼性とガス検出特性への組込みヒーターの効果を調べる系統的な研究はほとんどない。本研究では,熱応力と電流応力をFET型ガスセンサの埋め込みマイクロヒータに適用するときに生じるヒータの電気特性の変化を調べた。マイクロヒータの4つの異なるパターンは,同じ抵抗変化を示した。また,ガス検知特性に及ぼすポリシリコンヒータと金属(Cr/Au)電極間の接触抵抗の増加の影響を調べた。ヒータ抵抗が12%増加すると,最適ガス応答の電力消費は58%増加し,ガス応答はヒータ電圧の補償なしに46%減少した。結果は,ポリシリコンヒータの加熱効率も,加熱器の劣化の間,変化することを示した。ヒータ抵抗の増加と加熱効率の変化の理由を,Au層を通る表面へのCr原子の相互拡散によって説明した。Cr原子の拡散を,ヒータの両端での接触におけるTEMとEDS分析により確認した。結果は,センサプラットフォームの信頼性において,加熱器を横断した同じ電圧での温度も考慮されるべきであることを示唆した。Copyright 2022 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 接触抵抗 ,  相互拡散 ,  電圧 ,  電流 ,  熱応力 ,  *金 ,  *信頼性 ,  加熱器 ,  電極 ,  *クロム ,  電力消費 ,  電気特性 ,  *ポリシリコン
準シソーラス用語： *マイクロヒータ ,  抵抗変化 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： FET型ガスセンサ ,  ポリシリコンヒータ ,  信頼性 ,  Cr/Au ,  接触抵抗

分類 (1件)： 分析機器  (CC02020S)

タイトルに関連する用語 (8件)： FET ,  ガスセンサ ,  埋込み ,  ポリSi ,  マイクロヒータ ,  Cr ,  Au ,  解析