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J-GLOBAL ID：202202290305985093   整理番号：22A0363341

Arイオンビームにより非晶質化したエッチングマスクを用いたKOHエッチング剤によるSiの微細加工

Microfabrication of Si by KOH Etchant Using Etching Mask Amorphized by Ar Ion Beam

著者 (3件)： SATO Mina (Tokyo Inst. of Technol., Yokohama, JPN) ,  TOHNISHI Mie (Tokyo Inst. of Technol., Yokohama, JPN) ,  MATSUTANI Akihiro (Tokyo Inst. of Technol., Yokohama, JPN)
資料名： Sensors and Materials  (Sensors and Materials)
巻： 34  号： 1 (1)  ページ： 37-45  発行年： 2022年 
JST資料番号： L0338A  ISSN： 0914-4935  CODEN： SENMER  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： エッチングマスクとしてイオンビームにより非晶質化したマスクパターンを用いたKOH湿式エッチングによるSiの微細加工を実証した。電子サイクロトロン共鳴イオンシャワー系を100から1000eVのエネルギーのイオンビーム源として用いた。400eVのイオンエネルギーでSi表面を非晶質化することにより,Si(110)基板ウエハを3.7μmの深さにエッチングできるエッチングマスクを作製することに成功した。さらに,マイクロ流体デバイスと単一セル分離チップを,提案した微細加工技術を用いて作成した。提案した技術がSi系マイクロ流体デバイスとバイオチップの微細加工に有用であると信じる。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *アルゴン ,  *イオンビーム ,  *アモルファス化 ,  *マスク ,  水酸化カリウム ,  エッチング液 ,  *ケイ素 ,  *微細加工 ,  サイクロトロン共鳴 ,  エネルギー ,  ウエハ【IC】 ,  マイクロ流体デバイス ,  バイオチップ
準シソーラス用語： *非晶質化 ,  *エッチングマスク ,  KOH ,  エッチング剤 ,  電子サイクロトロン共鳴 ,  イオンエネルギー ,  Si基板

分類 (1件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

引用文献 (26件)：

• J. W. Cobum and Harold F. Winters: J. Vac. Sci. Technol. 16 (1979) 391.
• H. Robbins and B. Schwartz: J. Electrochem. Soc. 107 (1960) 108.
• K. Naraoka: Oyo Buturi 53 (1984) 877 (in Japanese).
• F. Shimokawa: J. Jpn. Soc. Precis. Eng. 77 (2011) 162 (in Japanese).
• D. B. Lee: J. Appl. Phys. 40 (1969) 4569.

タイトルに関連する用語 (8件)： Ar ,  イオンビーム ,  非晶質化 ,  エッチングマスク ,  KOH ,  エッチング剤 ,  Si ,  微細加工