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J-GLOBAL ID：202202290321524818   整理番号：22A0434783

高真空その場アニーリングによるスパッタ蒸着Ga_2O_3膜の再結晶挙動,酸素空孔および光ルミネセンス性能【JST・京大機械翻訳】

Recrystallization behavior, oxygen vacancy and photoluminescence performance of sputter-deposited Ga₂O₃ films via high-vacuum in situ annealing

著者 (10件)： Wang Haiyan (China-Ukraine Institute of Welding, Guangdong Academy of Sciences, Guangzhou, 510651, China) ,  Tang Chunmei (Institute of New Materials, Guangdong Academy of Sciences, National Engineering Laboratory for Modern Materials Surface Engineering Technology, The Key Lab of Guangdong for Modern Surface Engineering Technology, Guangzhou, 510651, China) ,  Yang Weijia (School of Applied Physics and Materials, Wuyi University, Jiangmen, 529020, China) ,  Zhao Jingjing (China-Ukraine Institute of Welding, Guangdong Academy of Sciences, Guangzhou, 510651, China) ,  Zhao Jingjing (School of Applied Physics and Materials, Wuyi University, Jiangmen, 529020, China) ,  Liu Lihua (China-Ukraine Institute of Welding, Guangdong Academy of Sciences, Guangzhou, 510651, China) ,  Liu Lihua (School of Applied Physics and Materials, Wuyi University, Jiangmen, 529020, China) ,  Mu Jianxun (China-Ukraine Institute of Welding, Guangdong Academy of Sciences, Guangzhou, 510651, China) ,  Zhang Yupeng (China-Ukraine Institute of Welding, Guangdong Academy of Sciences, Guangzhou, 510651, China) ,  Zeng Caiyou (China-Ukraine Institute of Welding, Guangdong Academy of Sciences, Guangzhou, 510651, China)
資料名： Ceramics International  (Ceramics International)
巻： 48  号： 3  ページ： 3481-3488  発行年： 2022年 
JST資料番号： H0705A  ISSN： 0272-8842  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Ga_2O_3膜を室温で高周波マグネトロンスパッタリングによりSi基板上に堆積し,高真空環境でその場アニールした。堆積したままのGa_2O_3膜は島状表面形態を示し,非晶質微細構造を持ち,その中に埋込まれた少数のナノ結晶粒子を有していた。高温その場アニーリングの後,膜は再結晶化し,合体した表面を示した。Gaの熱駆動拡散のため,SiとGa_2O_3の間の界面層はSiGaO_xから成っていた。空気中でのex situアニーリングと比較して,高真空でのin situアニーリングは,それが表面移動度を高め,Ga_2O_3膜の結晶性を改善するので,より有利である。その場アニールした膜のより高い酸素空孔濃度は,酸素原子が高真空アニーリング中にGa_2O_3格子から容易に放出されることを明らかにした。光ルミネセンス(PL)スペクトルは,紫外,青色,および緑色領域に中心がある4つの発光ピークを示し,ピーク強度は>600°Cでの熱アニーリングによって著しく強化された。本研究は,Ga_2O_3膜の再結晶挙動,界面微細構造,酸素空孔濃度,およびPL性能に対するその場アニーリング処理の効果を明らかにし,Ga_2O_3系デバイスのさらなる開発のために,それを重要で指示した。Copyright 2022 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 高温 ,  *再結晶 ,  *焼なまし ,  発光 ,  *光ルミネセンス ,  *ガリウム ,  ケイ素 ,  非晶質 ,  結晶度 ,  スペクトル ,  *スパッタ蒸着 ,  ナノ結晶
準シソーラス用語： 表面形態 ,  *酸素空格子点 ,  熱アニーリング , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： Ga_2O_3 ,  比周波数マグネトロンスパッタリング ,  その場アニーリング ,  高真空 ,  微細構造

分類 (2件)： セラミック・磁器の性質  (YC03030G) ,  酸化物薄膜  (BK14050P)

タイトルに関連する用語 (7件)： 高真空 ,  アニーリング ,  スパッタ蒸着 ,  再結晶 ,  挙動 ,  酸素空孔 ,  光ルミネセンス