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J-GLOBAL ID：202202290341579553   整理番号：22A0397964

28nm FD-SOIにおける超低電圧スイッチトキャパシタRF電力増幅器に及ぼす前方ボディバイアスの影響【JST・京大機械翻訳】

Impact of Forward Body-Biasing on Ultra-Low Voltage Switched-Capacitor RF Power Amplifier in 28 nm FD-SOI

著者 (5件)： Tochou Guillaume (STMicroelectronics, Crolles, France) ,  Cathelin Andreia (STMicroelectronics, Crolles, France) ,  Frappe Antoine (Univ. Lille, CNRS, Centrale Lille, Junia, Lille, France) ,  Kaiser Andreas (Univ. Lille, CNRS, Centrale Lille, Junia, Lille, France) ,  Rabaey Jan (Berkeley Wireless Research Center, University of California at Berkeley, Berkeley, CA, USA)
資料名： IEEE Transactions on Circuits and Systems 2: Express Briefs  (IEEE Transactions on Circuits and Systems 2: Express Briefs)
巻： 69  号： 1  ページ： 50-54  発行年： 2022年 
JST資料番号： W0347A  ISSN： 1549-7747  CODEN： ITCSFK  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： スイッチングキャパシタ電力増幅器(SCPA)は,その高い効率,高い線形性,および高い可積分性のため,現代の無線通信のためのキーとなる。本短報では,超低周波電圧(ULV)SCPAに対する28nm FD-SOI技術における拡張前方物体バイアス(FBB)特徴の影響を論じた。Drain効率(DE)とシステム効率(SE)の新しいモデルを,ボディバイアスと運転者電力消費を含めて紹介し,SpectreRFシミュレーションで検証した。SCPA上のFBBは,2.4GHzの0.5V電源電圧の下で,名目上体バイアスSCPAと比較して,SEとトランジスタ面積を,それぞれ14%と67%まで改善し,一方,線形性を改善し,PVT変動を強化した。Copyright 2022 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： シミュレーション ,  *電圧 ,  トランジスタ ,  電力消費 ,  *電力増幅器 ,  VLF【周波数】 ,  無線伝送 ,  線形性 ,  バイアス ,  積分可能性 ,  *SC回路
準シソーラス用語： *基板バイアス ,  *低電圧 ,  電源電圧 ,  システム効率 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (4件)： 信号理論  (ND02020G) ,  移動通信  (ND08030H) ,  無線通信一般  (ND08010L) ,  数値計算  (JE02000J)

タイトルに関連する用語 (6件)： SOI ,  低電圧 ,  スイッチトキャパシタ ,  RF ,  電力増幅器 ,  ボディバイアス