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J-GLOBAL ID：202202291204606969   整理番号：22A1150817

熱電モジュール用のp型Ge_1-xBi_xTe材料における高性能の実現可能性【JST・京大機械翻訳】

Feasibility of high performance in p-type Ge_{1- x}Bi_xTe materials for thermoelectric modules

著者 (6件)： Dashevsky Zinovi (Department of Materials Engineering, Ben-Gurion University of the Negev, Beer-Sheva, Israel) ,  Horichok Ihor (Vasyl Stefanyk Precarpathian National University, Ivano-Frankivsk, Ukraine) ,  Maksymuk Mykola (Vasyl Stefanyk Precarpathian National University, Ivano-Frankivsk, Ukraine) ,  Muchtar Ahmad Rifqi (WPI International Center for Materials Nanoarchitectonics (WPI-MANA), National Institute for Materials Science (NIMS), Tsukuba, Japan) ,  Srinivasan Bhuvanesh (WPI International Center for Materials Nanoarchitectonics (WPI-MANA), National Institute for Materials Science (NIMS), Tsukuba, Japan) ,  Mori Takao (WPI International Center for Materials Nanoarchitectonics (WPI-MANA), National Institute for Materials Science (NIMS), Tsukuba, Japan)
資料名： Journal of the American Ceramic Society  (Journal of the American Ceramic Society)
巻： 105  号： 6  ページ： 4500-4511  発行年： 2022年 
JST資料番号： C0253A  ISSN： 0002-7820  CODEN： JACTAW  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： GeTeは,p型熱電(TE)脚のための高温セグメントの製造のための有望な候補である。TEデバイスにおけるこの材料の広範な使用に対する主な制限は,高いキャリア濃度(約1021cm-3まで)であり,これは低いSeebeck係数と熱伝導率の高い電子成分を引き起こす。本研究では,バンド構造図と相平衡データを効果的に用いて,キャリア濃度を同調し,高いTE性能を得た。放電プラズマ焼結(SPS)法で作製したGe_1-xBi_xTe(x=0.04)材料は中程度の熱伝導率を伴う高い力率を示した。その結果,約800Kで,著しく高い無次元TE性能指数ZT=2.0が得られた。さらに,TEユニカップルにおける開発したGe_1-xBi_xTe(x=0.04)材料の応用はSnTeとCoGe_2遷移層を伴うべきであることを初めて提案した。TEユニカップルに対するこのようなユニークな解のみが,高温でのセグメント間の高い接触抵抗と化学的拡散の負の効果を防ぐことを可能にする。Copyright 2022 Wiley Publishing Japan K.K. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 高温 ,  接触抵抗 ,  バンド構造 ,  熱伝導率 ,  相平衡 ,  力率 ,  キャリア密度 ,  *熱 ,  放電プラズマ焼結
準シソーラス用語： Seebeck係数 ,  GeTe ,  テルル化スズ , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： バンド構造 ,  状態図 ,  セグメント化ユニカップル ,  熱電特性

分類 (1件)： セラミック・陶磁器の製造  (YC03020V)

タイトルに関連する用語 (3件)： モジュール ,  高性能 ,  実現可能性