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J-GLOBAL ID：202202291242156286   整理番号：22A0491338

超高スイッチング比を持つ非線形抵抗メモリ用の単結晶ハロゲン化物ペロブスカイト膜【JST・京大機械翻訳】

Single Crystal Halide Perovskite Film for Nonlinear Resistive Memory with Ultrahigh Switching Ratio

著者 (6件)： Li Lutao (College of Energy, Soochow Institute for Energy and Materials Innovations, Key Laboratory of Advanced Carbon Materials and Wearable Energy Technologies of Jiangsu Province, Soochow University, Suzhou, 215000, China) ,  Chen Yuan (College of Energy, Soochow Institute for Energy and Materials Innovations, Key Laboratory of Advanced Carbon Materials and Wearable Energy Technologies of Jiangsu Province, Soochow University, Suzhou, 215000, China) ,  Cai Changming (Suzhou O-Light Optical Technology Co., Ltd., Suzhou, 215000, China) ,  Ma Peipei (College of Energy, Soochow Institute for Energy and Materials Innovations, Key Laboratory of Advanced Carbon Materials and Wearable Energy Technologies of Jiangsu Province, Soochow University, Suzhou, 215000, China) ,  Ji Huayong (Suzhou O-Light Optical Technology Co., Ltd., Suzhou, 215000, China) ,  Zou Guifu (College of Energy, Soochow Institute for Energy and Materials Innovations, Key Laboratory of Advanced Carbon Materials and Wearable Energy Technologies of Jiangsu Province, Soochow University, Suzhou, 215000, China)
資料名： Small  (Small)
巻： 18  号： 3  ページ： e2103881  発行年： 2022年 
JST資料番号： W2348A  ISSN： 1613-6810  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Morreの法則は,メモリ産業がデバイスを新しい機能性で保つことができるならば,最後に終了する。ハロゲン化物ペロブスカイトは次世代不揮発性メモリへの応用の有望な候補である。よく知られているように,スイッチング比は認識精度を改善するために抵抗メモリの鍵となるデバイス要求である。ここでは,活性層として抵抗メモリに全無機ハロゲン化物ペロブスカイトCsPbBr_3単結晶膜(SCF)を導入した。Ag/CsPbBr_3/Agメモリセルは,超高スイッチング比(109以上)と高速スイッチング速度(1.8μs)で再現性のある抵抗スイッチングを示した。金属/CsPbBr_3SCF接触のSchottky障壁はSchottky-Mott理論の傾向に従い,Fermi準位ピン止め効果は効果的に減少した。金属/CsPbBr_3SCF接触の界面Sパラメータは0.50であり,大きな界面接触が形成されることを示唆した。大きな界面接触は,定常高抵抗状態(HRS)に寄与し,次に,定常HRSは,超高抵抗スイッチング比に導いた。本研究は,ハロゲン化物ペロブスカイトSCFベースメモリからの高性能を実証した。抵抗ランダムアクセスメモリにおけるハロゲン化物ペロブスカイトSCFの導入は,将来の計算システムにおける代替として大きな可能性を提供する。Copyright 2022 Wiley Publishing Japan K.K. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： Schottky障壁 ,  界面 ,  *記憶装置 ,  スイッチング ,  *単結晶 ,  計算機システム ,  記憶素子 ,  *ハロゲン化物 ,  Fermi準位 ,  不揮発性メモリ ,  活性層
準シソーラス用語： Sパラメータ ,  抵抗スイッチング ,  ReRAM ,  *抵抗メモリ , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： CsPbBr_3単結晶膜 ,  ハロゲン化物ペロブスカイト ,  抵抗メモリ ,  Schottky障壁 ,  スイッチング比

分類 (1件)： 半導体集積回路  (NC03162T)

タイトルに関連する用語 (6件)： スイッチング ,  非線形 ,  抵抗メモリ ,  単結晶 ,  ハロゲン化物 ,  ペロブスカイト