文献

J-GLOBAL ID：202202291530063536   整理番号：22A0637273

ナノリボンGaN HEMTの電力性能を改善するための費用効果技術【JST・京大機械翻訳】

A cost-effective technology to improve power performance of nanoribbons GaN HEMTs

著者 (9件)： Soltani A. (IEMN/CNRS 8520, Cite Scientifique, Avenue Poincare, Villeneuve d’Ascq 59651, France) ,  Benbakhti B. (School of Engineering, Liverpool John Moores University, L3 3AF Liverpool, United Kingdom) ,  Gerbedoen J.-C. (LIMMS/CNRS-IIS, UMI 2820, The University of Tokyo, Lille 59000, France) ,  Khediri A. (Laboratoire de Microelectronique Appliquee, Universite Djillali Liabes de Sidi Bel Abbes, Sidi Bel Abbes 22000, Algeria) ,  Maher H. (LN2, CNRS-IRI-3463, 3IT, Universite de Sherbrooke, 3000 Bd de l’Universite, Sherbrooke J1K0A5, Quebec, Canada) ,  Salvestrini J.-P. (UMI 2958 CNRS, Georgia Institute of Technology, GT-Lorraine, Metz 57070, France) ,  Ougazzaden A. (UMI 2958 CNRS, Georgia Institute of Technology, GT-Lorraine, Metz 57070, France) ,  Bourzgui N. E. (IEMN/CNRS 8520, Cite Scientifique, Avenue Poincare, Villeneuve d’Ascq 59651, France) ,  Barkad H. A. (Institut Universitaire de Technologie Industrielle, Universite de Djibouti, BP 1904 Djibouti, Djibouti)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 120  号： 4  ページ： 042102-042102-6  発行年： 2022年 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： AlGaN/GaN高Electron移動度トランジスタ(HEMT)の電力性能を改善するために,費用対効果の高い製造プロセスを開発した。このプロセスは,薄いバッファ層(AlGaN/GaN NR-HEMT)を有するAlGaN/GaNヘテロ構造上に多重平行ナノリボンを形成するために窒素イオン(N+)注入を使用する。測定した電流場特性と組み合わせたN+注入の物質シミュレーションにおけるイオンの阻止と範囲は,従来のAlGaN/GaN HEMTと比較して,NR-HEMTの絶縁破壊場の大幅な増加をもたらす,二次元電子ガス下の良好な電気的分離を明らかにした。作製したAlGaN/GaN NR-HEMTは,(i)ON/OFF電流比が2桁以上,(ii)従来のAlGaN/GaN HEMTよりも1桁以上小さいバッファ漏れ電流を示した。AlGaN/GaN NR-HEMTのオン抵抗,R_ON,直列抵抗,R_Sは,従来のAlGaN/GaN HEMTに比べて1桁減少した。これらは駆動電流密度を435%まで高めた。さらに,AlGaN/GaN NR-HEMTのアーキテクチャは,デバイスの電子トラップの破壊的影響を低減することを見出した。最適化したAlGaN/GaN NR-HEMTは,従来のGaN HEMTに対して730mV/decの代わりに,より良い静電完全性,210mV/decのサブ閾値勾配を示した。NR-HEMTの相互コンダクタンス,g_mにおけるより高い線形性が,従来のGaN HEMTの2倍である。これらの結果は,高出力スイッチング用途のためのNR-HEMTの開発プロセス技術の大きな興味を実証した。Copyright 2022 AIP Publishing LLC All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： イオン ,  最適化 ,  シミュレーション ,  絶縁破壊 ,  電流 ,  *電力 ,  アルミニウム化合物 ,  緩衝液 ,  漏れ電流 ,  窒化ガリウム ,  *HEMT ,  バッファ層 ,  オン抵抗
準シソーラス用語： *ナノリボン ,  ヘテロ構造 ,  *GaN HEMT ,  AlGaN/GaN , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (4件)： ナノリボン ,  GaN ,  HEMT ,  費用効果