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J-GLOBAL ID：202202296277897782   整理番号：22A0223916

スパッタリングプロセスパラメータを制御する圧電センシング応用のためのc軸配向AlN薄膜の最適化に関する研究【JST・京大機械翻訳】

Study on optimizing c-axis oriented AlN thin film for piezoelectric sensing applications controlling the sputtering process parameters

著者 (3件)： Vanamoorthy M. (PSG Institute of Advanced Studies (PSGIAS), Coimbatore, India) ,  Salim B. (PSG Institute of Advanced Studies (PSGIAS), Coimbatore, India) ,  Mohanta K. (PSG Institute of Advanced Studies (PSGIAS), Coimbatore, India)
資料名： Applied Physics. A. Materials Science & Processing  (Applied Physics. A. Materials Science & Processing)
巻： 128  号： 1  ページ： 48  発行年： 2022年 
JST資料番号： D0256C  ISSN： 0947-8396  CODEN： APHYCC  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 窒化アルミニウム(AlN)薄膜の結晶方位は圧電応用の課題を提起し,10-12V/mのオーダーの高い圧電係数を得るために(002)の配向が望まれる。最適化されたパラメータを有するc軸配向AlN膜を開発するための多くのプロセスを,特に圧電応用に対して報告した。これらのうち,スパッタリングは,基板配列角度と距離,スパッタリングパラメータ,底部電極の選択などのターゲットを制御して有望なプロセスであった。本研究では,RFマグネトロンスパッタリングを用いて,マグネトロン源配向の影響とc軸配向AlN結晶成長に及ぼす作動圧力の影響を調べた。AlN薄膜を,異なるソース配置,すなわち平行と共焦点の下でマグネトロンスパッタリングを用いてAlとMoの底層上に蒸着した。さらに,AlNを,固定されている他のすべてのパラメータで,種々の作動圧力下で蒸着した。調製した試料の構造的および形態学的特性を研究した。解析は,平滑な底層を有する平行堆積セットを示し,最適化された作動圧力は,圧電用途に適した(002)配向でAlNを成長させる。Copyright The Author(s), under exclusive licence to Springer-Verlag GmbH, DE part of Springer Nature 2021 Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 結晶成長 ,  *最適化 ,  *薄膜 ,  *アルミニウム ,  モリブデン ,  マグネトロン ,  結晶方位 ,  *圧電気 ,  *窒化アルミニウム ,  *プロセスパラメータ ,  モルフォロジー
準シソーラス用語： 圧電定数 ,  共焦点 ,  RFマグネトロンスパッタリング ,  *c軸配向 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： AlN ,  c軸 ,  PVD ,  スパッタリング ,  圧電材料

分類 (2件)： 金属薄膜  (BK14030T) ,  その他の無機化合物の薄膜  (BK14060A)

タイトルに関連する用語 (8件)： 圧電 ,  センシング ,  応用 ,  c軸配向 ,  AlN ,  薄膜 ,  最適化 ,  研究