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J-GLOBAL ID：202202299171065789   整理番号：22A0956691

SOIトンネルFETにおける界面トラップ感度に影響を与えるゲート電極の役割【JST・京大機械翻訳】

Role of gate electrode in influencing interface trap sensitivity in SOI tunnel FETs

著者 (5件)： Deb Deepjyoti (Department of Electronics and Communication Engineering, School of Engineering, Tezpur University, Assam 784028, India) ,  Goswami Rupam (Department of Electronics and Communication Engineering, School of Engineering, Tezpur University, Assam 784028, India) ,  Baruah Ratul Kr (Department of Electronics and Communication Engineering, School of Engineering, Tezpur University, Assam 784028, India) ,  Saha Rajesh (Department of Electronics and Communication Engineering, MNIT Jaipur, Jaipur, Rajasthan 302017, India) ,  Kandpal Kavindra (Department of Electronics and Communication Engineering, IIIT Allahabad, Prayagraj, Uttar Pradesh 211015, India)
資料名： Journal of Micromechanics and Microengineering  (Journal of Micromechanics and Microengineering)
巻： 32  号： 4  ページ： 044006 (15pp)  発行年： 2022年 
JST資料番号： W1424A  ISSN： 0960-1317  CODEN： JMMIEZ  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 半導体/ゲート誘電体界面トラップの存在に対するシリコンオンインシュレータトンネル電界効果トランジスタ(TFET)の応答を報告した。デバイスのゲートに関連する異なるパラメータを考慮して,系統的戦略を設計した。アクセプタ様トラップ,およびGauss分布を有するドナー様トラップを,全解析の前述の界面で考察した。トラップのないケースからのトラップの存在におけるドレイン電流の偏差を測定する性能指数として感度%を採った。界面トラップに及ぼす温度の影響とゲート漏れ電流に及ぼす界面トラップの影響について解析した。アクセプタ様トラップがオン状態領域に影響し,ドナー様トラップが両極性領域に影響することを見出した。ゲート-ドレインアンダーラップ,ゲートソースオーバラップ,デバイス全体のゲートのシフト,ゲート仕事関数の解析は,ゲート電極がTFETの感度を決定する際に重要な役割を果たすことを示唆した。さらに,フリッカ,拡散およびモノポーラ生成-再結合雑音源,および界面トラップの存在におけるノイズスペクトル密度を報告した。Please refer to the publisher for the copyright holders. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： アクセプタ ,  *界面 ,  再結合 ,  仕事関数 ,  ドナー ,  半導体 ,  正規分布 ,  *電極 ,  雑音発生器 ,  フリッカ ,  *ゲート【半導体】 ,  *キャリア捕獲 ,  ゲート絶縁膜
準シソーラス用語： *界面トラップ ,  ドレイン電流 ,  *ゲート電極 ,  *トンネル電界効果トランジスタ , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (6件)： SOI ,  トンネルFET ,  界面トラップ ,  感度 ,  ゲート電極 ,  役割