特許

J-GLOBAL ID：202203000900392000

トレンチMOS型ショットキーダイオード

発明者： 佐々木 公平 ,  東脇 正高
出願人/特許権者： 株式会社タムラ製作所 ,  株式会社ノベルクリスタルテクノロジー ,  国立研究開発法人情報通信研究機構
代理人 (1件)： 特許業務法人平田国際特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2022-068429
公開番号（公開出願番号）：特開2022-087348
出願日： 2022年04月18日
公開日（公表日）： 2022年06月09日
要約：

【課題】高耐圧かつ低損失のトレンチMOS型ショットキーダイオードを提供する。 【解決手段】Ga 2 O 3 系単結晶からなる第1の半導体層10と、面17に開口するトレンチ12を有する、Ga 2 O 3 系単結晶からなる第2の半導体層11と、面17上に形成されたアノード電極13と、第1の半導体層10の面上に形成されたカソード電極14と、第2の半導体層11のトレンチ12の内面を覆う絶縁膜15と、第2の半導体層11のトレンチ12内に絶縁膜15に覆われるように埋め込まれ、アノード電極13に接触するトレンチMOSゲート16と、を有し、第2の半導体層11が、第1の半導体層側の下層11bと、下層11bよりも高いドナー濃度を有する、アノード電極13側の上層11aとから構成され、1μAのリーク電流が流れるときの逆方向電圧が600V以上1200V以下である、トレンチMOS型ショットキーダイオード1を提供する。 【選択図】図1

請求項（抜粋）：

β型のGa 2 O 3 系単結晶からなる第1の半導体層と、 前記第1の半導体層に積層される層であって、その前記第1の半導体層と反対側の面に開口する複数のトレンチを有する、β型のGa 2 O 3 系単結晶からなる第2の半導体層と、 前記第2の半導体層の前記第1の半導体層と反対側の面上に形成されたアノード電極と、 前記第1の半導体層の前記第2の半導体層と反対側の面上に形成されたカソード電極と、 前記第2の半導体層の前記トレンチの内面を覆う絶縁膜と、 前記第2の半導体層の前記トレンチ内に前記絶縁膜に覆われるように埋め込まれ、前記アノード電極に接触するトレンチMOSゲートと、 を有し、 前記第2の半導体層が、前記第1の半導体層側の下層と、前記下層よりも高いドナー濃度を有する、前記アノード電極側の上層とから構成され、 1μAのリーク電流が流れるときの逆方向電圧が600V以上1200V以下である、 トレンチMOS型ショットキーダイオード。

IPC (3件)：

H01L 29/872 ,  H01L 29/47 ,  H01L 29/06

FI (7件)：

H01L29/86 301F ,  H01L29/86 301D ,  H01L29/86 301E ,  H01L29/48 D ,  H01L29/48 F ,  H01L29/06 301V ,  H01L29/06 301F

引用特許：

出願人引用 (1件)

• ショットキーバリアダイオード
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2011-245519   出願人：株式会社タムラ製作所