特許
J-GLOBAL ID：201303097952080379
ショットキーバリアダイオード
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (4件)：
平田 忠雄
, 岩永 勇二
, 遠藤 和光
, 伊藤 浩行
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2011-245519
公開番号（公開出願番号）：特開2013-102081
出願日： 2011年11月09日
公開日（公表日）： 2013年05月23日
要約：
【課題】逆方向耐圧を大きくしても順方向電圧の増大、オーミック電極層とのコンタクト抵抗の増大を抑制することが可能なショットキーバリアダイオードを提供する。【解決手段】ショットキーバリアダイオード1は、n型の導電性を有するGa2O3系化合物半導体からなるn型半導体層3と、n型半導体層3に対しショットキー接触するショットキー電極層2とを備え、n型半導体層3には、ショットキー電極層2にショットキー接触する電子キャリア濃度が比較的低いn-半導体層31と、n-半導体層31よりも高い電子キャリア濃度を有するn+半導体層32とが形成されている。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
n型の導電性を有するGa2O3系化合物半導体からなるn型半導体層と、前記n型半導体層に対してショットキー接触する電極層とを備え、
前記n型半導体層には、前記電極層にショットキー接触する第1の半導体層と、前記第1の半導体層よりも高い電子キャリア濃度を有する第2の半導体層とが形成されているショットキーバリアダイオード。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L29/48 D
, H01L29/48 F
4M104AA03
, 4M104BB05
, 4M104BB06
, 4M104BB07
, 4M104BB13
, 4M104BB14
, 4M104BB16
, 4M104FF03
, 4M104FF10
, 4M104FF31
, 4M104FF35
, 4M104GG03
, 4M104HH15
, 4M104HH18
, 4M104HH20
