特許
J-GLOBAL ID：202203002373542521

シリコン量子ドット前駆体、シリコン量子ドット、シリコン量子ドット前駆体の製造方法及びシリコン量子ドットの製造方法

発明者：
齋藤 健一

齋藤 健一 について


出願人/特許権者：
国立大学法人広島大学

国立大学法人広島大学 について


代理人 (1件)： 森 匡輝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2020-154517
公開番号（公開出願番号）：特開2022-048615
出願日： 2020年09月15日
公開日（公表日）： 2022年03月28日
要約：
【課題】HSQポリマーの構造を調整することにより、特性を制御可能なシリコン量子ドット前駆体、シリコン量子ドット、シリコン量子ドット前駆体の製造方法及びシリコン量子ドットの製造方法を提供する。 【解決手段】本発明に係るシリコン量子ドット前駆体は、CH 3 O 1.5 で表されるメトキシ基を有する水素シルセスキオキサンポリマーからなる。また、本発明に係るシリコン量子ドット前駆体の製造方法は、トリクロロシランとアルコールとを混合して混合物を生成するアルコール混合工程と、混合物と水とを反応させて水素シルセスキオキサンポリマーを生成する高分子合成工程と、を含む。 【選択図】図1
請求項（抜粋）：
CH 3 O 0.5 で表されるメトキシ基を有する水素シルセスキオキサンポリマーからなる、 ことを特徴とするシリコン量子ドット前駆体。
IPC (4件)：
C01B 33/021 ,  C08G 77/12 ,  B82Y 30/00 ,  B82Y 40/00
FI (4件)：
C01B33/021 ,  C08G77/12 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00
Fターム (59件)：
4G072AA01 ,  4G072AA03 ,  4G072BB05 ,  4G072BB11 ,  4G072BB13 ,  4G072DD07 ,  4G072GG01 ,  4G072GG03 ,  4G072HH09 ,  4G072JJ11 ,  4G072JJ38 ,  4G072LL11 ,  4G072LL15 ,  4G072MM01 ,  4G072MM31 ,  4G072MM36 ,  4G072QQ06 ,  4G072RR02 ,  4G072RR05 ,  4G072RR12 ,  4G072TT01 ,  4G072UU30 ,  4H001XA01 ,  4H001XA06 ,  4H001XA08 ,  4H001XA14 ,  4J246AA03 ,  4J246AA19 ,  4J246BA120 ,  4J246BA12X ,  4J246BB020 ,  4J246BB022 ,  4J246BB02X ,  4J246CA010 ,  4J246CA019 ,  4J246CA01X ,  4J246CA050 ,  4J246CA059 ,  4J246CA05U ,  4J246CA05X ,  4J246CA130 ,  4J246CA139 ,  4J246CA13M ,  4J246CA13X ,  4J246FA061 ,  4J246FA131 ,  4J246FA151 ,  4J246FA321 ,  4J246FA421 ,  4J246FA441 ,  4J246FA461 ,  4J246FA621 ,  4J246FE02 ,  4J246FE06 ,  4J246FE40 ,  4J246GB13 ,  4J246GB32 ,  4J246GD09 ,  4J246HA56
引用特許：
出願人引用 (2件) 審査官引用 (2件)
引用文献：
出願人引用 (3件)
  • Faraday Discuss., 2020, 222, 390-404
  • Chem. Lett., 2017, 46, 699-702
  • Scientific Reports, 20161110, 6:36951, 1-11
審査官引用 (3件)
  • Faraday Discuss., 2020, 222, 390-404
  • Chem. Lett., 2017, 46, 699-702
  • Scientific Reports, 20161110, 6:36951, 1-11

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