特許
J-GLOBAL ID：202203005284591712
静電容量型トランスデューサの解析・設計方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
特許業務法人酒井国際特許事務所
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2018-037233
公開番号（公開出願番号）：特開2019-153899
特許番号：特許第7021978号
出願日： 2018年03月02日
公開日（公表日）： 2019年09月12日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 音孔を有する基板にインナーキャビティを介在して所定数のベントホールを設けたメンブレンを配置し、該メンブレンの前記基板と反対側にアウターキャビティを介在してバックプレートを配置し、全体をカバーで覆ったMEMS構造の静電容量型トランスデューサの解析・設計方法であって、 得られる出力電流Iout(単位:A)を次式に基づいてシミュレーションするステップと、ここで、Pin:入力する音圧(単位:Pa)、Cmt:メンブレンコンプライアンス(単位:m3/Pa)、Cmb:バックキャビティコンプライアンス(単位:m3/Pa)、ε:空気の誘電率(単位:F/m)、Sb:バックプレート面積(単位:m2)、Sm:メンブレン面積(単位:m2)、gair:基板とバックプレート間の距離(単位:m)、K:メンブレンのバネ定数(単位:N/m)、Vbias:バイアス電圧(単位:V)、Vout:出力バイアス電圧(単位:V)であり、前記出力電流Ioutのシミュレーション結果に基づいて、前記出力電流Ioutが入力される後段の増幅器の入力インピーダンスを考慮して、前記メンブレンの面積Sm、前記バックプレートの面積Sb、前記メンブレンと前記基板の間の距離gair、前記メンブレンにバネ定数Kを所望の前記出力電流Ioutとなるように設計するステップと、を備えた、ことを特徴とする静電容量型トランスデューサの解析・設計方法。
IPC (1件)：
FI (1件)：
引用特許：
引用文献：
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