特許
J-GLOBAL ID：202203008548859661
スパッタリングターゲット
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (4件)：
松沼 泰史
, 寺本 光生
, 細川 文広
, 大浪 一徳
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2018-002184
公開番号（公開出願番号）：特開2019-119920
特許番号：特許第7020123号
出願日： 2018年01月10日
公開日（公表日）： 2019年07月22日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 SiとZrを含む焼結体からなるスパッタリングターゲットであって、 Zrの含有量が0.7原子%以上50原子%以下の範囲内とされるとともに、 B,Fe,Mgから選択される1種又は2種以上の添加元素の合計含有量が100質量ppm以上5000質量ppm以下の範囲内とされており、残部がSi及び不可避不純物とされていることを特徴とするスパッタリングターゲット。
IPC (4件)：
C23C 14/34 ( 200 6.01)
, C22C 16/00 ( 200 6.01)
, B22F 5/00 ( 200 6.01)
, C22C 1/04 ( 200 6.01)
C23C 14/34 A
, C22C 16/00
, B22F 5/00 Z
, C22C 1/04 E
