特許

J-GLOBAL ID：202203008684641920

半導体装置の製造方法

発明者： 新井 盛太 ,  齋藤 昌典
出願人/特許権者： 住友電工デバイス・イノベーション株式会社
代理人 (1件)： 片山 修平
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2018-065848
公開番号（公開出願番号）：特開2019-176110
特許番号：特許第7056826号
出願日： 2018年03月29日
公開日（公表日）： 2019年10月10日
請求項（抜粋）：

【請求項1】 半導体基板の第1面に形成された第1半導体層の上に第3半導体層が形成され、 前記第3半導体層の一部を除去する工程と、前記第3半導体層の一部を除去する工程の後に、前記第1半導体層の外周部を除去する工程と、 前記第1半導体層の外周部を除去する工程の後、粘着剤を用いて、前記半導体基板の第1面を実装基板に貼り付ける工程と、 前記半導体基板を貼り付ける工程の後、前記半導体基板の前記第1面とは反対側の第2面側から前記半導体基板を薄くする工程と、 前記半導体基板を薄くする工程の後、前記粘着剤を溶融させ、前記半導体基板を前記実装基板から分離する工程と、を有する半導体装置の製造方法。

IPC (3件)：

H01L 21/02 ( 200 6.01) ,  H01L 21/308 ( 200 6.01) ,  H01L 21/683 ( 200 6.01)

FI (3件)：

H01L 21/02 C ,  H01L 21/308 C ,  H01L 21/68 N

引用特許：

審査官引用 (3件)

• ウェーハの加工方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2011-140162   出願人：株式会社ディスコ
• 半導体デバイスの製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-340508   出願人：三菱電機株式会社
• 半導体素子の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2007-022535   出願人：住友電気工業株式会社