特許
J-GLOBAL ID：202203010902333251
レプリカテンプレートの製造方法、及び半導体装置の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
特許業務法人酒井国際特許事務所
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2018-043209
公開番号（公開出願番号）：特開2019-160926
特許番号：特許第7027200号
出願日： 2018年03月09日
公開日（公表日）： 2019年09月19日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 第1面に前記第1面から突出した第1のメサ部を有する基板を準備する基板準備ステップと、 前記基板の前記第1のメサ部上に、上面視で前記第1のメサ部より小さな領域を持つ凸部、および前記凸部上に配置される微細パターンを有する第1マスクパターンを形成するマスクパターン形成ステップと、 前記第1マスクパターンの前記凸部の形状を前記基板に転写して、前記第1のメサ部上に、上面視で前記第1のメサ部より小さな領域を持つ第2のメサ部を形成するメサ部形成ステップと、 前記第1マスクパターンの前記微細パターンの形状を前記基板に転写して前記第2のメサ部上に微細パターンを形成する微細パターン形成ステップと、を含み、前記マスクパターン形成ステップでは、第2面に形成された凹部および前記凹部の底部から更に深さ方向に伸びる微細パターンを有するマスタテンプレートを、前記基板の前記第1のメサ部に滴下または塗布されたマスク材に押印して前記第1マスクパターンを形成する、レプリカテンプレートの製造方法。
IPC (3件)：
H01L 21/027 ( 200 6.01)
, B29C 33/38 ( 200 6.01)
, B29C 59/02 ( 200 6.01)
H01L 21/30 502 D
, B29C 33/38
, B29C 59/02 B
