特許
J-GLOBAL ID：202203011267596891
気相成長装置
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
特許業務法人快友国際特許事務所
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2018-092435
公開番号（公開出願番号）：特開2019-196292
特許番号：特許第7002730号
出願日： 2018年05月11日
公開日（公表日）： 2019年11月14日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 反応容器と、 前記反応容器内に配置されており、第1面に基板を保持する基板保持面を備えた基板ホルダと、 前記基板保持面に保持された基板に対応した孔部を備えたリング部と、 第1原料ガスおよび前記第1原料ガスと反応する第2原料ガスを前記反応容器内に供給する原料ガス供給管であって、前記第1原料ガスおよび前記第2原料ガスは前記基板の表面に化合物半導体の結晶を成長させる原料ガスである、前記原料ガス供給管と、 前記基板ホルダと前記リング部との少なくとも一方を、前記基板保持面に対して垂直な軸線に沿って移動させるアクチュエータであって、前記基板に成長する前記化合物半導体の結晶の表面と前記リング部の表面との距離を一定に維持する前記アクチュエータと、 を備え、前記リング部の表面が、前記第2原料ガスを触媒効果によって分解可能な所定金属で覆われており、前記第2原料ガスは、前記触媒効果によって分解されることで活性水素を発生するガスである、化合物半導体の気相成長装置。
IPC (6件)：
C30B 25/12 ( 200 6.01)
, C30B 29/38 ( 200 6.01)
, H01L 21/205 ( 200 6.01)
, C23C 16/34 ( 200 6.01)
, C23C 16/455 ( 200 6.01)
, C23C 16/44 ( 200 6.01)
C30B 25/12
, C30B 29/38 D
, H01L 21/205
, C23C 16/34
, C23C 16/455
, C23C 16/44 G
