特許
J-GLOBAL ID：201403010067552041

半導体装置の製造方法及びハイドライド気相成長装置

発明者：
石原 裕次郎

石原 裕次郎 について

, 
藤山 泰治

藤山 泰治 について


出願人/特許権者：
古河機械金属株式会社

古河機械金属株式会社 について


代理人 (1件)： 速水 進治
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-079921
公開番号（公開出願番号）：特開2014-201496
出願日： 2013年04月05日
公開日（公表日）： 2014年10月27日
要約：
【課題】基板上に形成される堆積物の膜厚を均一化する。【解決手段】半導体装置の製造方法は、基板133に反応ガスを供給して、基板133上にハイドライド気相成長法により堆積物(例えばGaN層160)を形成する工程を有する。堆積物を形成する工程では、反応ガスの流れを変化させる気流変化部材170を、基板133の周縁部又はその近傍の領域と対向するように、当該周縁部又は当該近傍の領域よりも反応ガスの上流側の領域に配置した状態で、堆積物を形成する。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
基板に反応ガスを供給して、前記基板上にハイドライド気相成長法により堆積物を形成する工程を有し、 前記堆積物を形成する工程では、前記反応ガスの流れを変化させる気流変化部材を、前記基板の周縁部又はその近傍の領域と対向するように、当該周縁部又は当該近傍の領域よりも前記反応ガスの上流側に配置した状態で、前記堆積物を形成する、半導体装置の製造方法。
IPC (4件)：
C30B 25/14 ,  H01L 21/205 ,  C23C 16/455 ,  C23C 16/34
FI (4件)：
C30B25/14 ,  H01L21/205 ,  C23C16/455 ,  C23C16/34
Fターム (36件)：
4G077AA02 ,  4G077BE15 ,  4G077DB05 ,  4G077EG24 ,  4G077HA02 ,  4G077HA06 ,  4G077HA12 ,  4G077TA01 ,  4G077TA04 ,  4G077TA11 ,  4G077TB04 ,  4G077TC01 ,  4G077TH06 ,  4G077TH07 ,  4K030AA03 ,  4K030AA13 ,  4K030AA17 ,  4K030AA18 ,  4K030BA08 ,  4K030BA38 ,  4K030BB02 ,  4K030CA04 ,  4K030FA10 ,  4K030KA45 ,  4K030LA14 ,  5F045AB14 ,  5F045AC03 ,  5F045AC12 ,  5F045AC19 ,  5F045AF09 ,  5F045BB02 ,  5F045DP04 ,  5F045DQ06 ,  5F045EE20 ,  5F045EF15 ,  5F045EM10
引用特許：
審査官引用 (4件)
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