特許
J-GLOBAL ID：202203011441505485
表示装置
発明者：
,
,
出願人/特許権者：
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2016-090036
公開番号（公開出願番号）：特開2021-064795
特許番号：特許第7008781号
出願日： 2016年04月28日
公開日（公表日）： 2021年04月22日
請求項（抜粋）：
【請求項1】第1のトランジスタと、第2のトランジスタと、発光素子と、を有し、前記第1のトランジスタは、第1のゲート電極と、前記第1のゲート電極上の第1の絶縁膜と、前記第1の絶縁膜上の第1の酸化物半導体膜と、前記第1の酸化物半導体膜に電気的に接続され、かつ前記発光素子の第1の画素電極と電気的に接続される第1のソース電極又は第1のドレイン電極と、前記第1の酸化物半導体膜上の第2の絶縁膜と、前記第2の絶縁膜上の第2のゲート電極と、を有し、前記第2のトランジスタは、第2の酸化物半導体膜と、前記第2の酸化物半導体膜に電気的に接続され、かつ前記第1の絶縁膜の開口部を介して前記第1のゲート電極に電気的に接続される第2のソース電極又は第2のドレイン電極と、前記第2の酸化物半導体膜上の第3の絶縁膜と、前記第3の絶縁膜上の第3のゲート電極と、を有し、前記発光素子は、前記第2のゲート電極上の第4の絶縁膜の上面と接する領域と、前記第1のゲート電極と重なる領域とを有し、かつ前記第2のソース電極又は前記第2のドレイン電極と重なる領域を有さない前記第1の画素電極と、前記第1の画素電極上のEL層と、前記EL層上の導電膜と、を有し、前記第1の画素電極の端部を覆う領域と、前記第1の画素電極に隣接する第2の画素電極の端部を覆う領域とを有する構造体を有し、前記第2の画素電極は、前記第1の絶縁膜の開口部と重なる領域と、前記第2のソース電極又は前記第2のドレイン電極と重なる領域を有する表示装置。
IPC (4件)：
H01L 29/786 ( 200 6.01)
, G02F 1/1368 ( 200 6.01)
, H01L 51/50 ( 200 6.01)
, H05B 33/02 ( 200 6.01)
H01L 29/78 618 B
, H01L 29/78 617 N
, G02F 1/136
, H05B 33/14 A
, H05B 33/02
