特許

J-GLOBAL ID：202203011569840007

亀裂進展装置及び亀裂進展方法

発明者： 清水 翼 ,  押田 修平 ,  植木原 明 ,  藤田 隆
出願人/特許権者： 株式会社東京精密
代理人 (4件)： 松浦 憲三 ,  大原 一樹 ,  松村 潔 ,  松浦 憲政
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2021-184119
公開番号（公開出願番号）：特開2022-028781
出願日： 2021年11月11日
公開日（公表日）： 2022年02月16日
要約：

【課題】内部にレーザ光で改質領域を形成したウェーハを割断する亀裂進展装置及び亀裂進展方法を提供する。 【解決手段】方法は、ウェハWの裏面をカップ砥石146で研削する際の、ウェハの裏面の温度を制御することにより亀裂の伸展度合いを変化させる亀裂進展手段を用いて亀裂進展させるステップを備える。 【選択図】図16

請求項（抜粋）：

ウェハの内部に形成されたレーザ改質領域から亀裂を進展させる亀裂進展装置であって、 前記ウェハの裏面を研削する際の前記ウェハの裏面の温度を制御することにより前記亀裂の伸展度合いを変化させる亀裂進展手段を備える、 亀裂進展装置。

IPC (7件)：

H01L 21/301 ,  H01L 21/304 ,  B24B 1/00 ,  B24B 7/22 ,  B28D 5/00 ,  B28D 7/02 ,  B23K 26/53

FI (9件)：

H01L21/78 V ,  H01L21/78 B ,  H01L21/304 631 ,  H01L21/304 622R ,  B24B1/00 Z ,  B24B7/22 Z ,  B28D5/00 A ,  B28D7/02 ,  B23K26/53

引用特許：

出願人引用 (3件)

• 特許3624909号公報
  
• 特許3762409号公報
  
• シリコン基板の薄板加工方法およびそれに用いられる加工装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2005-125625   出願人：富士電機ホールディングス株式会社