特許
J-GLOBAL ID：200903056430848454
シリコン基板の薄板加工方法およびそれに用いられる加工装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
酒井 昭徳
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-125625
公開番号（公開出願番号）：特開2006-303329
出願日： 2005年04月22日
公開日（公表日）： 2006年11月02日
要約：
【課題】半導体基板を薄板化する際に、基板表面に保護テ-プなどを貼らずに吸着チャックに半導体基板を吸着させた状態のまま、基板裏面に対して研削加工から加工歪の除去までの工程を同一装置によって連続して行うことにより、基板の割れや欠けを防ぐこと。【解決手段】待機位置で吸着チャック4にシリコン基板31を吸着させ、その状態のまま吸着チャック4とシリコン基板31を移動させて、粗研削用ダイヤモンド砥石1による粗研削加工と、仕上げ研削用ダイヤモンド砥石2による仕上げ研削加工と、酸化セリウム砥粒を含む砥石3による加工歪除去を順に連続して行う。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
100μmよりも厚いシリコン基板の一方の面を研削してシリコン基板の厚さを100μm以下にするにあたって、
シリコン基板の一方の面を研削してシリコン基板を薄くする研削工程と、
前記シリコン基板の、前記研削工程により研削された面に対して、酸化セリウム砥粒を含む砥石を用いて研削を行う仕上げ工程と、
を含むことを特徴とするシリコン基板の薄板加工方法。
IPC (1件)：
FI (2件)：
H01L21/304 631
, H01L21/304 622H
出願人引用 (6件)
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研磨装置
公報種別：公開公報
出願番号：特願平8-332115
出願人：株式会社岡本工作機械製作所
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特開昭62-124866号公報
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米国特許第5964646号明細書
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審査官引用 (13件)
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