特許

J-GLOBAL ID：202203011731422630

圧電体薄膜、圧電体薄膜の製造装置、圧電体薄膜の製造方法、および、疲労推定システム

発明者： 桑野 博喜 ,  加藤 忠 ,  レ バン ミン ,  グエン ホアン フン ,  今野 理洋 ,  高山 洋佑
出願人/特許権者： 国立大学法人東北大学 ,  仙台スマートマシーンズ株式会社
代理人 (2件)： 須田 篤 ,  楠 修二
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2020-190670
公開番号（公開出願番号）：特開2022-079842
出願日： 2020年11月17日
公開日（公表日）： 2022年05月27日
要約：

【課題】より優れたFoMおよび圧電歪定数を有する圧電体薄膜、その圧電体薄膜を製造することができる圧電体薄膜の製造装置および圧電体薄膜の製造方法、ならびに、その圧電体薄膜を利用可能な疲労推定システムを提供する。 【解決手段】圧電体薄膜は、AlNのAlサイトにMgとHfとを共ドープした(MgHf) x Al 1-x Nの薄膜から成り、xは0.3以上0.49以下であり、性能指数(FoM)が45GPa以上、圧電歪定数(d 33 )が18pm/V以上である。AlNから成るターゲットの表面に、Mgから成る複数の第1の個片と、Hfから成る複数の第2の個片とを、ターゲットの表面積に対して、第1の個片の1個当たりが占める平均表面積が、第2の個片の1個当たりが占める平均表面積の0.9倍以上1.1倍以下になるよう配置し、マグネトロンスパッタ法により、基板上に圧電体薄膜を成長させる。 【選択図】図5

請求項（抜粋）：

AlNのAlサイトにMgとHfとを共ドープした(MgHf) x Al 1-x Nの薄膜から成り、xは0.3以上0.49以下であり、性能指数(FoM)が45GPa以上、圧電歪定数(d 33 )が18pm/V以上であることを特徴とする圧電体薄膜。

IPC (5件)：

C23C 14/06 ,  C23C 14/34 ,  H01L 41/187 ,  H01L 41/316 ,  H01L 41/113

FI (6件)：

C23C14/06 L ,  C23C14/06 A ,  C23C14/34 A ,  H01L41/187 ,  H01L41/316 ,  H01L41/113

Fターム (4件)：

4K029BA58 ,  4K029CA05 ,  4K029DC15 ,  4K029DC39

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 圧電体薄膜、圧電素子および圧電発電装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2018-056263   出願人：国立大学法人東北大学