特許

J-GLOBAL ID：202203011914488656

プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法

発明者： 福地 功祐 ,  朝倉 涼次 ,  江藤 宗一郎 ,  岡本 翔 ,  臼井 建人 ,  中元 茂
出願人/特許権者： 株式会社日立ハイテク
代理人 (1件)： ポレール特許業務法人
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2021-132667
公開番号（公開出願番号）：特開2022-058184
出願日： 2021年08月17日
公開日（公表日）： 2022年04月11日
要約：

【課題】半導体ウェハ表面の微細形状にばらつきがある場合であっても、被処理膜の厚さを精度良く検出して処理できるようにする。 【解決手段】真空処理室の内部で処理される被処理材の被処理膜の状態を検出する処理状態検出ユニットを備えたプラズマ処理装置において、処理状態検出ユニットを、プラズマの発光を検出する発光検出部と、プラズマの発光の微分波形データを求める演算部と、複数の微分波形パターンデータを記憶しておくデータベース部と、演算部で求めた微分波形データとデータベース部に記憶された複数の微分波形パターンデータとの差に基づく重みを付けて被処理材で処理されている被処理膜の膜厚の推定値を算出する膜厚算出部と、膜厚算出部で算出した被処理膜の膜厚の推定値に基づいてプラズマ処理の終点を判定する終点判定部とを備えて構成した。 【選択図】図1

請求項（抜粋）：

内部を真空に排気した状態でプラズマを発生させて被処理材を処理する真空処理室と、 前記真空処理室の内部で処理される前記被処理材の被処理膜の状態を検出する処理状態検出ユニットと、 前記真空処理室と前記処理状態検出ユニットとを制御する制御部とを備えたプラズマ処理装置であって、 前記処理状態検出ユニットは、 前記真空処理室の内部に発生させた前記プラズマの発光を検出する発光検出部と、 前記発光検出部で検出した前記プラズマの発光の微分波形データを求める演算部と、 予め複数の微分波形パターンデータを記憶しておくデータベース部と、 前記演算部で求めた前記微分波形データと前記データベース部に記憶された複数の前記微分波形パターンデータとの差に基づく重みを付けて前記被処理材で処理されている前記被処理膜の膜厚の推定値を算出する膜厚算出部と、 前記膜厚算出部で算出した前記被処理膜の前記膜厚の推定値に基づいて前記プラズマを用いた処理の終点を判定する終点判定部と を備えることを特徴とするプラズマ処理装置。

IPC (2件)：

H01L 21/306 ,  H05H 1/46

FI (2件)：

H01L21/302 103 ,  H05H1/46 A

Fターム (11件)：

2G084AA02 ,  2G084BB11 ,  2G084CC14 ,  2G084CC33 ,  2G084HH34 ,  2G084HH42 ,  2G084HH56 ,  5F004AA16 ,  5F004CB02 ,  5F004CB15 ,  5F004CB16

引用特許：

出願人引用 (3件)

• プラズマ処理装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2006-051058   出願人：株式会社日立ハイテクノロジーズ
• プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2015-063603   出願人：株式会社日立ハイテクノロジーズ
• エッチング装置のデータ解析方法並びにエッチング方法及びその装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2014-146805   出願人：株式会社日立ハイテクノロジーズ