特許

J-GLOBAL ID：202203012257281066

膜除去方法、所定パターンの透明導電膜の形成方法及びパターニング装置

発明者： 小川大輔
出願人/特許権者： 地方独立行政法人東京都立産業技術研究センター
代理人 (1件)： 松山 裕一郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2020-185603
公開番号（公開出願番号）：特開2022-075061
出願日： 2020年11月06日
公開日（公表日）： 2022年05月18日
要約：

【課題】耐薬品性に優れる二酸化スズ系透明導電膜を、要求されているほどに十分に短時間で除去(パターンニング処理)することができ、製造現場における取り扱い性に優れ、廃棄物処理の問題が少ない、二酸化スズ系透明導電膜を除去する膜除去方法を提供すること。 【解決手段】二酸化スズ系透明導電膜が被着形成されている膜含有基板から上記二酸化スズ系透明導電膜を除去する膜除去方法であって、上記膜含有基板を有機酸水溶液に接触させた状態で電圧印可して二酸化スズ系透明導電膜を還元処理する還元工程、及び還元工程終了後の上記膜含有基板を、他の水溶液に接触させた状態で電圧印加して還元処理された二酸化スズ系透明導電膜を基板上から取り除く除去工程を具備する膜除去方法。 【選択図】なし

請求項（抜粋）：

二酸化スズ系透明導電膜が被着形成されている膜含有基板から上記二酸化スズ系透明導電膜を除去する膜除去方法であって、 上記膜含有基板を有機酸水溶液に接触させた状態で電圧印可して二酸化スズ系透明導電膜を還元処理する還元工程、及び 還元工程終了後の上記膜含有基板を、他の水溶液に接触させた状態で電圧印加して還元処理された二酸化スズ系透明導電膜を基板上から取り除く除去工程 を具備する膜除去方法。

IPC (1件)：

C09K 13/06

FI (1件)：

C09K13/06 101

引用特許：

出願人引用 (2件)

• 特開昭56-16674号公報
  
• 透明導電膜のエッチング方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-092077   出願人：太陽誘電株式会社