特許
J-GLOBAL ID：202203015290112040
半導体ウェーハの洗浄方法、および該洗浄方法を用いた半導体ウェーハの製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (4件)：
杉村 憲司
, 杉村 光嗣
, 川原 敬祐
, 宮谷 昂佑
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2018-131759
公開番号（公開出願番号）：特開2020-009969
特許番号：特許第6996438号
出願日： 2018年07月11日
公開日（公表日）： 2020年01月16日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 半導体ウェーハを洗浄槽内のオゾン水に浸漬して洗浄する半導体ウェーハの洗浄方法であって、 前記洗浄槽の下方から前記洗浄槽内に前記オゾン水を供給しつつ、前記洗浄槽の上方から前記洗浄槽外に前記オゾン水をオーバーフローさせて、 その後、前記オゾン水の供給を停止して、 その後、前記半導体ウェーハを前記洗浄槽内の前記オゾン水に浸漬して、 その後、前記洗浄槽の下方から前記洗浄槽内に前記オゾン水を再び供給しつつ、前記洗浄槽の上方から前記洗浄槽外に前記オゾン水を再びオーバーフローさせることを特徴とする半導体ウェーハの洗浄方法。
IPC (1件)：
FI (3件)：
H01L 21/304 648 G
, H01L 21/304 642 A
, H01L 21/304 647 Z
