特許
J-GLOBAL ID：202203019153560219
窒化物半導体基板の製造方法および窒化物半導体基板
発明者：
,
出願人/特許権者：
,
代理人 (2件)：
福岡 昌浩
, 橘高 英郎
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2017-040144
公開番号（公開出願番号）：特開2018-145042
特許番号：特許第6994835号
出願日： 2017年03月03日
公開日（公表日）： 2018年09月20日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 窒化物半導体結晶からなる種結晶基板の+C面上に窒化物半導体結晶をc軸方向に沿って成長させて、窒化物半導体結晶中のn型不純物濃度が相対的に低いn-型の第一窒化物半導体層を形成する工程と、 前記第一窒化物半導体層の+C面上に前記第一窒化物半導体層を構成する窒化物半導体結晶と同組成の窒化物半導体結晶をc軸方向に沿って成長させて、窒化物半導体結晶中のn型不純物濃度が相対的に高いn+型の第二窒化物半導体層を形成する工程と、 前記種結晶基板を除去して前記第一窒化物半導体層の-C面を露出させ、前記-C面を主面とする前記第一窒化物半導体層と前記第二窒化物半導体層との積層体を窒化物半導体基板として得る工程と、前記窒化物半導体基板の主面である前記-C面に対してp型不純物をイオン注入する工程と、イオン注入後の前記窒化物半導体基板に対してアニール処理を行う工程と、 を含む窒化物半導体基板の製造方法。
IPC (4件)：
C30B 29/38 ( 200 6.01)
, C30B 25/20 ( 200 6.01)
, C23C 16/34 ( 200 6.01)
, H01L 21/205 ( 200 6.01)
C30B 29/38 D
, C30B 25/20
, C23C 16/34
, H01L 21/205
