III族窒化物半導体結晶基板および半導体デバイス

発明者： , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (7件)：深見久郎 , 森田俊雄 , 仲村義平 , 堀井豊 , 野田久登 , 酒井將行 , 荒川伸夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-300460
公開番号（公開出願番号）：特開2009-126722
出願日： 2007年11月20日
公開日（公表日）： 2009年06月11日
要約：

【課題】抵抗率を低くでき、かつ抵抗率の面内分布の悪化を防止できるIII族窒化物半導体結晶基板を提供する。【解決手段】III族窒化物半導体結晶基板は、25mm以上160mm以下の直径を有するIII族窒化物半導体結晶基板20aである。III族窒化物半導体結晶基板20aの抵抗率が1×10-4Ωcm以上0.1Ωcm以下である。III族窒化物半導体結晶基板20aの直径方向の抵抗率の分布が-30%以上30%以下である。III族窒化物半導体結晶基板20aの厚さ方向の抵抗率の分布が-16%以上16%以下である。【選択図】図11

請求項（抜粋）：

25mm以上160mm以下の直径を有するIII族窒化物半導体結晶基板であって、抵抗率が1×10-4Ωcm以上0.1Ωcm以下であり、直径方向の抵抗率の分布が-30%以上30%以下であり、厚さ方向の抵抗率の分布が-16%以上16%以下である、III族窒化物半導体結晶基板。

IPC (6件)：

C30B 29/38 , H01L 21/205 , C23C 16/34 , H01L 33/00 , H01L 29/47 , H01L 29/872

FI (6件)：

C30B29/38 D , H01L21/205 , C23C16/34 , H01L33/00 C , H01L29/48 D , H01L29/48 F

Fターム (43件)：

4G077AA02 , 4G077AB01 , 4G077AB02 , 4G077AB06 , 4G077AB08 , 4G077AB09 , 4G077BE11 , 4G077BE13 , 4G077BE15 , 4G077DB04 , 4G077EB01 , 4G077FJ06 , 4G077HA02 , 4G077HA06 , 4G077HA12 , 4K030AA03 , 4K030AA11 , 4K030AA13 , 4K030AA17 , 4K030BA38 , 4K030BB02 , 4K030CA04 , 4K030CA12 , 4K030DA08 , 4K030EA01 , 4K030FA10 , 4K030KA03 , 4K030LA14 , 4M104AA04 , 4M104FF31 , 4M104GG03 , 4M104HH20 , 5F041AA40 , 5F041CA40 , 5F041CA49 , 5F041CA57 , 5F041CA64 , 5F045AA04 , 5F045AB14 , 5F045AC08 , 5F045AC19 , 5F045AF04 , 5F045BB06

引用特許：

出願人引用 (3件)

III族窒化物半導体基板およびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2005-004142 出願人：住友電気工業株式会社
大面積で均一な低転位密度GaN基板およびその製造プロセス
公報種別：公表公報出願番号：特願2006-540022 出願人：クリーインコーポレイテッド
III-V族窒化物系半導体基板及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2003-356699 出願人：日立電線株式会社

審査官引用 (3件)

III族窒化物半導体基板およびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2005-004142 出願人：住友電気工業株式会社
III族窒化物半導体結晶の成長方法、III族窒化物半導体結晶基板の製造方法およびIII族窒化物半導体結晶基板
公報種別：公開公報出願番号：特願2007-300461 出願人：住友電気工業株式会社
III族窒化物半導体結晶の成長方法、III族窒化物半導体結晶基板の製造方法およびIII族窒化物半導体結晶基板
公報種別：公開公報出願番号：特願2007-300459 出願人：住友電気工業株式会社

引用文献：

審査官引用 (1件)

財団法人新機能素子研究開発協会委託調査 GaNパワー用結晶材料・デバイスに関する技術調査報告書(要約, 20070330, p.9-17

前のページに戻る