特許
J-GLOBAL ID：202203020244535630

窒化物半導体積層物の製造方法、膜質検査方法および半導体成長装置の検査方法

発明者：
堀切 文正

堀切 文正 について


出願人/特許権者：
株式会社サイオクス

株式会社サイオクス について

, 
住友化学株式会社

住友化学株式会社 について


代理人 (2件)： 福岡 昌浩 ,  橘高 英郎
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2018-094151
公開番号（公開出願番号）：特開2019-199373
特許番号：特許第7112879号
出願日： 2018年05月15日
公開日（公表日）： 2019年11月21日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 III族窒化物半導体の結晶からなる基板上に薄膜がホモエピタキシャル成長されてなる窒化物半導体積層物の製造方法であって、 前記基板として、当該基板の主面における転位密度が5×106個/cm2以下であり、当該基板中の酸素の濃度が1×1017at・cm-3未満であり、当該基板中のn型不純物以外の不純物の濃度が1×1017at・cm-3未満であるものを用い、当該基板上に前記薄膜をホモエピタキシャル成長させる成長工程と、 前記基板上に形成された前記薄膜の膜質を検査する検査工程と、 を備え、 前記検査工程では、 前記基板上の前記薄膜に対して赤外光を照射することで得られる反射スペクトルの、1,600cm-1以上1,700cm-1以下の範囲に定められる所定波数における反射光量の、当該薄膜の膜厚と当該基板のキャリア濃度および当該薄膜のキャリア濃度とに応じて定まる当該所定波数における反射光量からの、ずれを検出することにより、当該薄膜の膜質を検査する 窒化物半導体積層物の製造方法。
IPC (3件)：
C30B 29/38 ( 200 6.01) ,  H01L 21/66 ( 200 6.01) ,  G01N 21/3563 ( 201 4.01)
FI (3件)：
C30B 29/38 D ,  H01L 21/66 P ,  G01N 21/356
引用特許：
審査官引用 (4件)
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引用文献：
審査官引用 (3件)

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