高性能低損失ボディ短絡型自己バイアスチャネルダイオードの開発研究

実施期間：2014 - 2015
実施機関 (1件)：
研究責任者： ( , 工学部, 准教授 )
研究概要：

解析シミュレーションによりCr-SBDに比べて,低損失となるの最適デバイス構造を推定し,デバイスシミュレーションによりCr-SBDより高耐圧を確認した。また,パターンを作成し,ドーピング条件をシミュレーションして試作した。しかしながら,試作プロセスの一部を他企業に委託する必要が生じ,1次試作が終了したばかりで,評価と分析が不十分である。試作デバイスの電気的特性をプローブで評価し,順方向の低電流領域でCr-SBDより低損失動作を確認した。しかし,耐圧と電力損失は目標には達していない。今後,構造分析とシミュレーションの合わせこみを十分に行って,試作研究を続行してデバイスを開発したい。

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研究制度：＞＞＞
研究所管機関：

国立研究開発法人科学技術振興機構

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