薄膜及びその製造方法、熱電変換素子、磁気抵抗効果素子、磁気メモリ並びに磁気センサ

発明者： , , , ,
出願人/特許権者： ,
代理人 (3件)：田口昌浩 , 平澤賢一 , 鈴木康義
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2022-058190
公開番号（公開出願番号）：特開2023-149556
出願日： 2022年03月31日
公開日（公表日）： 2023年10月13日
要約：

【課題】優れた熱電変換性能及び磁場応答性を有するホイスラー合金の薄膜、その薄膜の製造方法、並びにその薄膜を用いた熱電変換素子、磁気抵抗効果素子及び磁気センサを提供する。【解決手段】本発明の薄膜は、所定の2種のホイスラー合金を少なくとも含有する混晶を含む。本発明の熱電変換素子、磁気抵抗効果素子、磁気メモリ及び磁気センサは本発明の薄膜を用いたものである。本発明の薄膜の製造方法はレーザーアブレーション法及びスパッタリング法のいずれか1つの方法により薄膜を形成する薄膜形成工程を含む。【選択図】なし

請求項（抜粋）：

下記一般式(1)で表されるホイスラー合金と下記一般式(2)で表されるホイスラー合金とを少なくとも含有する混晶を含む薄膜。 X 1

IPC (5件)：

H10N 15/20 , H10N 50/10 , H10B 61/00 , H01F 10/16 , C23C 14/14

FI (5件)：

H01L37/04 , H01L43/08 M , H01L27/105 447 , H01F10/16 , C23C14/14 F

Fターム (38件)：

4K029AA04 , 4K029AA24 , 4K029BA24 , 4K029BA46 , 4K029BB02 , 4K029BC06 , 4K029BD11 , 4K029CA01 , 4K029CA05 , 4K029DB20 , 4K029DC15 , 4K029DC35 , 4K029DC39 , 4K029EA08 , 4K029FA06 , 4K029GA01 , 4M119AA19 , 4M119BB00 , 4M119BB20 , 4M119JJ03 , 4M119JJ09 , 5E049AA01 , 5E049AA04 , 5E049AA07 , 5E049BA06 , 5E049BA16 , 5E049BA30 , 5E049GC01 , 5F092AA20 , 5F092AB01 , 5F092AB06 , 5F092AB10 , 5F092AC04 , 5F092BE02 , 5F092BE13 , 5F092BE25 , 5F092CA02 , 5F092CA25

引用特許：

出願人引用 (1件)

ホイスラー合金薄膜およびその製造方法、磁気抵抗効果素子、磁気メモリ
公報種別：公開公報出願番号：特願2015-008689 出願人：国立研究開発法人物質・材料研究機構

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