特許

J-GLOBAL ID：201603001514870940

ホイスラー合金薄膜およびその製造方法、磁気抵抗効果素子、磁気メモリ

発明者： 桜庭 裕弥 ,  ボス スブロジャティ ,  佐々木 泰祐 ,  宝野 和博 ,  李 松田
出願人/特許権者： 国立研究開発法人物質・材料研究機構
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2015-008689
公開番号（公開出願番号）：特開2016-134520
出願日： 2015年01月20日
公開日（公表日）： 2016年07月25日
要約：

【課題】 真熱処理温度を過度に上昇させることなく、高いスピン偏極率を有するホイスラー合金薄膜を提供すること。【解決手段】 化学組成がCo2YZ(Y=V、Cr、Mn、Fe、Z=Al、Si、Ga、Ge)であるホイスラー合金薄膜に、Agを5at.%以下にホイスラー合金薄膜中にドープし、熱処理することを特徴とするホイスラー合金薄膜。【選択図】 図3

請求項（抜粋）：

化学組成がCo2YZ(Y=V、Cr、Mn、Fe、Z=Al、Si、Ga、Ge)であるホイスラー合金薄膜に、Agを5at.%以下にホイスラー合金薄膜中にドープし、熱処理することを特徴とするホイスラー合金薄膜。

IPC (11件)：

H01L 43/08 ,  H01L 43/10 ,  H01L 43/12 ,  H01L 21/824 ,  H01L 27/105 ,  H01L 29/82 ,  G11B 5/39 ,  H01F 10/16 ,  H01F 41/22 ,  H01F 41/18 ,  G01R 33/09

FI (10件)：

H01L43/08 M ,  H01L43/08 Z ,  H01L43/12 ,  H01L27/10 447 ,  H01L29/82 Z ,  G11B5/39 ,  H01F10/16 ,  H01F41/22 ,  H01F41/18 ,  G01R33/06 R

Fターム (42件)：

2G017AA02 ,  2G017AD55 ,  4M119AA17 ,  4M119AA19 ,  4M119BB01 ,  4M119BB03 ,  4M119CC05 ,  4M119DD17 ,  4M119JJ03 ,  4M119JJ09 ,  5D034BA05 ,  5D034BA15 ,  5D034DA07 ,  5E049AA04 ,  5E049BA30 ,  5E049GC01 ,  5E049JC01 ,  5F092AA02 ,  5F092AA11 ,  5F092AB02 ,  5F092AB06 ,  5F092AC08 ,  5F092AC12 ,  5F092AD03 ,  5F092AD23 ,  5F092AD25 ,  5F092BB04 ,  5F092BB05 ,  5F092BB17 ,  5F092BB22 ,  5F092BB31 ,  5F092BB35 ,  5F092BB36 ,  5F092BB37 ,  5F092BB44 ,  5F092BC03 ,  5F092BC04 ,  5F092BE24 ,  5F092BE25 ,  5F092BE27 ,  5F092CA02 ,  5F092CA25

引用特許：

審査官引用 (5件)

• 磁界検出素子の製造方法、磁界検出素子、積層体、ウエハ、ヘッドジンバルアセンブリ、およびハードディスク装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2006-173801   出願人：TDK株式会社
• 磁気抵抗効果素子およびその製造方法、ならびに薄膜磁気ヘッド、ヘッドジンバルアセンブリ、ヘッドアームアセンブリおよび磁気ディスク装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2006-144927   出願人：TDK株式会社
• トンネル磁気抵抗効果素子及びその製造方法、並びに磁気メモリ装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-069636   出願人：ソニー株式会社
• 磁性薄膜、磁気抵抗効果素子、薄膜磁気ヘッドおよび磁気メモリ素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2006-074521   出願人：TDK株式会社
• 同時スパッタリング法によるホイスラー合金の蒸着方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-324566   出願人：三星電子株式会社