磁気抵抗素子、磁気センサ、および磁気メモリ

発明者： , , , , , , , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：弁理士法人酒井国際特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2021-107765
公開番号（公開出願番号）：特開2023-005686
出願日： 2021年06月29日
公開日（公表日）： 2023年01月18日
要約：

【課題】大きな垂直磁気異方性を有する磁性層を含む磁気抵抗素子およびそれを用いた磁気デバイスを提供する。【解決手段】磁気抵抗素子は下地層10、第1磁性層11、第1非磁性層12、第2磁性層13からなり、第1非磁性層12にフッ素(F)を含む絶縁体を用いる。また非磁性層は第1非磁性層12/第2非磁性層14の積層構造とすることも可能であり、第2非磁性層にフッ素を含む絶縁体もしくは酸化物絶縁体、もしくは窒化物絶縁体を用いる。これらの磁気抵抗素子において、フッ素を含む絶縁体と第1磁性層の界面において大きな磁気異方性を付与することが可能となる。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

下地層の上に積層された第1磁性層と、第2磁性層と、前記第1磁性層と前記第2磁性層との間に配置された第1非磁性層とを備え、前記第1非磁性層は、フッ素を含む絶縁材料を含むことを特徴とする磁気抵抗素子。

IPC (5件)：

H10N 50/10 , H10N 52/85 , H10B 61/00 , H01F 10/30 , G11B 5/39

FI (5件)：

H01L43/08 Z , H01L43/10 , H01L27/105 447 , H01F10/30 , G11B5/39

Fターム (44件)：

4M119AA20 , 4M119BB01 , 4M119CC05 , 4M119DD07 , 4M119DD17 , 4M119DD32 , 4M119DD44 , 4M119DD55 , 4M119EE21 , 4M119EE27 , 4M119FF13 , 4M119FF17 , 4M119JJ03 , 4M119JJ04 , 4M119JJ12 , 5D034BA03 , 5E049BA06 , 5E049BA16 , 5E049CB02 , 5E049DB12 , 5F092AA20 , 5F092AB01 , 5F092AB07 , 5F092AB08 , 5F092AC12 , 5F092AD23 , 5F092BB10 , 5F092BB17 , 5F092BB22 , 5F092BB23 , 5F092BB33 , 5F092BB36 , 5F092BB42 , 5F092BB43 , 5F092BB53 , 5F092BC03 , 5F092BC13 , 5F092BC14 , 5F092BC18 , 5F092BC45 , 5F092BE02 , 5F092CA02 , 5F092CA25 , 5F092CA26

引用特許：

出願人引用 (1件)

磁気記憶装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2019-052166 出願人：キオクシア株式会社

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