特許
J-GLOBAL ID:202303015588455966

結晶成長方法および装置

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 山川 茂樹
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2022-026576
公開番号(公開出願番号):特開2023-122837
出願日: 2022年02月24日
公開日(公表日): 2023年09月05日
要約:
【課題】固体の原料からなる原料体の周囲を冷却しながら原料体の中央部を誘導加熱により加熱することで形成する結晶成長のための融液の領域を、より大きくする。 【解決手段】第2工程S102で、原料体の一端側(上面)の中央部の融液に種結晶を接触させる。第3工程S103で、原料体の周囲を冷却しながら、誘導加熱による加熱する箇所を、原料体の一端側から他端側へ移動させ、原料体の中央部の原料が溶解する箇所を、原料体の一端側から他端側へ移動させる。誘導加熱による原料体の中央部の加熱は、誘導加熱の周波数を融液の共振周波数からずれた範囲として実施することで、原料体の一端側から他端側への方向に対して垂直な面内で、原料体の中心部ほど温度が低い状態とする。 【選択図】 図1
請求項(抜粋):
固体の原料からなる原料体を高周波誘導加熱により溶解した溶融体を用いた結晶成長方法であって、 高周波誘導加熱の周波数を前記溶融体の共振周波数および共振周波数からずれた範囲として前記原料体の溶解を実施する ことを特徴とする結晶成長方法。
IPC (2件):
C30B 13/20 ,  C30B 29/22
FI (2件):
C30B13/20 ,  C30B29/22 A
Fターム (13件):
4G077BC01 ,  4G077CE03 ,  4G077CE04 ,  4G077EA02 ,  4G077EA07 ,  4G077ED01 ,  4G077EG12 ,  4G077EG20 ,  4G077EH04 ,  4G077EH06 ,  4G077EH10 ,  4G077ND02 ,  4G077ND07
引用特許:
出願人引用 (2件)

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