基体および基体の製造方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：木村満 , 森川泰司 , 龍竹史朗
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2022-084916
公開番号（公開出願番号）：特開2023-172996
出願日： 2022年05月25日
公開日（公表日）： 2023年12月07日
要約：

【課題】高い性能と信頼性を有する半導体装置を実現することができる基体および基体の製造方法を提供する。【解決手段】基体は、YSZ基板である基板1と、基板1上に、ビックスバイト型結晶構造を有するβ-Fe 2 O 3 結晶から形成された第1酸化物層2と、第1酸化物層2上に、ビックスバイト型結晶構造を有するδ-Ga 2 O 3 結晶から形成された第2酸化物層3と、を備える。第1酸化物層2の厚さは、2.5nm以上且つ590.2nm以下である。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

立方晶系の結晶構造を有する基板と、前記基板の上方に位置し、ビックスバイト型結晶構造を有する第1酸化物結晶から形成された第1酸化物層と、前記第1酸化物層上に、ガリウムを含み且つビックスバイト型結晶構造を有する第2酸化物結晶から形成された第2酸化物層と、を備える、基体。

IPC (5件)：

C30B 29/16 , C30B 25/18 , C23C 16/40 , H01L 21/365 , H01L 21/368

FI (5件)：

C30B29/16 , C30B25/18 , C23C16/40 , H01L21/365 , H01L21/368 Z

Fターム (57件)：

4G077AA03 , 4G077AB10 , 4G077BB05 , 4G077BB10 , 4G077DB11 , 4G077DB15 , 4G077ED06 , 4G077EF02 , 4G077HA06 , 4G077TA04 , 4G077TA07 , 4G077TC06 , 4G077TC13 , 4G077TH01 , 4K030AA03 , 4K030AA11 , 4K030AA14 , 4K030BA01 , 4K030BA07 , 4K030BA08 , 4K030BA42 , 4K030BA59 , 4K030BB12 , 4K030CA04 , 4K030CA05 , 4K030CA12 , 4K030EA03 , 4K030FA10 , 4K030GA02 , 4K030JA01 , 4K030JA05 , 4K030JA10 , 4K030LA12 , 5F045AA03 , 5F045AB40 , 5F045AC07 , 5F045AC11 , 5F045AC15 , 5F045AD08 , 5F045AD09 , 5F045AD10 , 5F045AD11 , 5F045AF04 , 5F045AF07 , 5F045AF13 , 5F045DA52 , 5F045DA61 , 5F045DP07 , 5F045EK06 , 5F053AA50 , 5F053BB60 , 5F053DD20 , 5F053FF02 , 5F053GG02 , 5F053GG10 , 5F053HH04 , 5F053HH05

引用特許：

出願人引用 (1件)

半導体装置および結晶
公報種別：公開公報出願番号：特願2012-218891 出願人：ROCA株式会社

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