特許
J-GLOBAL ID：201403002019001774

半導体装置および結晶

発明者：
金子 健太郎

金子 健太郎 について

, 
人羅 俊実

人羅 俊実 について

, 
平尾 孝

平尾 孝 について


出願人/特許権者：
ROCA株式会社

ROCA株式会社 について


代理人 (3件)： SK特許業務法人 ,  奥野 彰彦 ,  伊藤 寛之
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-218891
公開番号（公開出願番号）：特開2014-072463
出願日： 2012年09月28日
公開日（公表日）： 2014年04月21日
要約：
【課題】良質なコランダム型結晶膜を形成する半導体装置を提供する。【解決手段】本発明によれば、コランダム型結晶構造を有する下地基板とコランダム型結晶構造を有する半導体層、コランダム型結晶構造を有する絶縁膜とから形成される半導体装置が提供される。コランダム型の結晶構造を持つ材料のなかには酸化膜が多く含まれ、絶縁膜としての機能を果たすことができることのみならず、下地基板、半導体層および絶縁膜がすべてコランダム型の結晶構造を有していることにより下地基板上に良質な半導体層、絶縁膜を実現することができる。【選択図】図2
請求項（抜粋）：
コランダム型結晶構造を有する下地基板とコランダム型結晶構造を有する半導体層、コランダム型結晶構造を有する絶縁膜とから形成される半導体装置。
IPC (6件)：
H01L 21/316 ,  H01L 21/365 ,  H01L 21/31 ,  H01L 27/12 ,  H01L 21/02 ,  C23C 16/40
FI (7件)：
H01L21/316 X ,  H01L21/365 ,  H01L21/31 B ,  H01L27/12 B ,  H01L27/12 S ,  H01L27/12 E ,  C23C16/40
Fターム (38件)：
4K030AA09 ,  4K030AA11 ,  4K030AA18 ,  4K030BA05 ,  4K030BA06 ,  4K030BA07 ,  4K030BA08 ,  4K030BA11 ,  4K030BA16 ,  4K030BA18 ,  4K030BA19 ,  4K030BA42 ,  4K030BA43 ,  4K030BA46 ,  4K030BB01 ,  4K030BB12 ,  4K030CA05 ,  4K030EA01 ,  4K030FA10 ,  4K030LA02 ,  5F045AB31 ,  5F045AB40 ,  5F045AC07 ,  5F045AC15 ,  5F045AD07 ,  5F045AD08 ,  5F045AD09 ,  5F045AF09 ,  5F045BB12 ,  5F045DP04 ,  5F045EK06 ,  5F058BA04 ,  5F058BB01 ,  5F058BC03 ,  5F058BD05 ,  5F058BF02 ,  5F058BF22 ,  5F058BJ01
引用特許：
出願人引用 (4件)
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審査官引用 (4件)
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引用文献：
出願人引用 (2件) 審査官引用 (2件)

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