半導体装置および結晶

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (3件)： SK特許業務法人 , 奥野彰彦 , 伊藤寛之
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-218891
公開番号（公開出願番号）：特開2014-072463
出願日： 2012年09月28日
公開日（公表日）： 2014年04月21日
要約：

【課題】良質なコランダム型結晶膜を形成する半導体装置を提供する。【解決手段】本発明によれば、コランダム型結晶構造を有する下地基板とコランダム型結晶構造を有する半導体層、コランダム型結晶構造を有する絶縁膜とから形成される半導体装置が提供される。コランダム型の結晶構造を持つ材料のなかには酸化膜が多く含まれ、絶縁膜としての機能を果たすことができることのみならず、下地基板、半導体層および絶縁膜がすべてコランダム型の結晶構造を有していることにより下地基板上に良質な半導体層、絶縁膜を実現することができる。【選択図】図2

請求項（抜粋）：

コランダム型結晶構造を有する下地基板とコランダム型結晶構造を有する半導体層、コランダム型結晶構造を有する絶縁膜とから形成される半導体装置。

IPC (6件)：

H01L 21/316 , H01L 21/365 , H01L 21/31 , H01L 27/12 , H01L 21/02 , C23C 16/40

FI (7件)：

H01L21/316 X , H01L21/365 , H01L21/31 B , H01L27/12 B , H01L27/12 S , H01L27/12 E , C23C16/40

Fターム (38件)：

4K030AA09 , 4K030AA11 , 4K030AA18 , 4K030BA05 , 4K030BA06 , 4K030BA07 , 4K030BA08 , 4K030BA11 , 4K030BA16 , 4K030BA18 , 4K030BA19 , 4K030BA42 , 4K030BA43 , 4K030BA46 , 4K030BB01 , 4K030BB12 , 4K030CA05 , 4K030EA01 , 4K030FA10 , 4K030LA02 , 5F045AB31 , 5F045AB40 , 5F045AC07 , 5F045AC15 , 5F045AD07 , 5F045AD08 , 5F045AD09 , 5F045AF09 , 5F045BB12 , 5F045DP04 , 5F045EK06 , 5F058BA04 , 5F058BB01 , 5F058BC03 , 5F058BD05 , 5F058BF02 , 5F058BF22 , 5F058BJ01

引用特許：

審査官引用 (4件)

半導体装置及びその作製方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2011-252457 出願人：株式会社半導体エネルギー研究所
半導体装置およびその作製方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2011-199019 出願人：株式会社半導体エネルギー研究所
ダイアモンド基板上炭化珪素並びに関連するデバイス及び方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2012-148508 出願人：クリーインコーポレイテッド

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引用文献：

審査官引用 (2件)

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