特許

J-GLOBAL ID：202303017624757900

成膜方法及び成膜装置

発明者： 布瀬 暁志 ,  久保田 雄介 ,  山内 智
出願人/特許権者： 東京エレクトロン株式会社 ,  国立大学法人茨城大学
代理人 (2件)： 伊東 忠重 ,  伊東 忠彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2021-160747
公開番号（公開出願番号）：特開2023-050573
出願日： 2021年09月30日
公開日（公表日）： 2023年04月11日
要約：

【課題】金属膜の形成される領域の選択性を向上する、技術を提供する。 【解決手段】成膜方法は、下記(A)~(D)を含む。(A)第1膜が露出する第1領域と、前記第1膜とは異なる材料で形成される第2膜が露出する第2領域とを表面に有する基板を準備する。(B)前記基板の前記表面に対して還元性有機物の蒸気を供給する。(C)前記還元性有機物の蒸気を供給した後に、前記基板の前記表面に対してハロゲン化金属の蒸気を供給する。(D)前記ハロゲン化金属に含まれる金属元素で構成される金属膜を、前記第1領域に対して前記第2領域に選択的に形成する。 【選択図】図1

請求項（抜粋）：

第1膜が露出する第1領域と、前記第1膜とは異なる材料で形成される第2膜が露出する第2領域とを表面に有する基板を準備することと、 前記基板の前記表面に対して還元性有機物の蒸気を供給することと、 前記還元性有機物の蒸気を供給した後に、前記基板の前記表面に対してハロゲン化金属の蒸気を供給することと、 前記ハロゲン化金属に含まれる金属元素で構成される金属膜を、前記第1領域に対して前記第2領域に選択的に形成することと、 を含む、成膜方法。

IPC (4件)：

H01L 21/285 ,  H01L 21/28 ,  H01L 21/320 ,  H01L 21/768

FI (4件)：

H01L21/285 C ,  H01L21/28 301R ,  H01L21/88 M ,  H01L21/90 A

Fターム (25件)：

4M104AA01 ,  4M104AA03 ,  4M104AA04 ,  4M104AA05 ,  4M104BB04 ,  4M104DD43 ,  4M104DD45 ,  4M104DD46 ,  4M104FF18 ,  5F033GG02 ,  5F033HH07 ,  5F033HH11 ,  5F033HH14 ,  5F033HH15 ,  5F033HH18 ,  5F033HH19 ,  5F033HH32 ,  5F033HH33 ,  5F033PP06 ,  5F033PP08 ,  5F033QQ48 ,  5F033RR03 ,  5F033RR04 ,  5F033RR06 ,  5F033RR08

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 銅の成膜装置、銅の成膜方法、銅配線形成方法、銅配線
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2016-035760   出願人：国立大学法人茨城大学