銅の成膜装置、銅の成膜方法、銅配線形成方法、銅配線

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (5件)：堀城之 , 前島幸彦 , 長谷川明 , 村上大勇 , 小河卓
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2016-035760
公開番号（公開出願番号）：特開2017-152628
出願日： 2016年02月26日
公開日（公表日）： 2017年08月31日
要約：

【課題】銅配線を用いた半導体装置を安価に得る。【解決手段】成膜チャンバ10の下側において基板100と対向する箇所には、坩堝(CuI蒸気発生手段)30が設けられている。坩堝30には原料加熱ヒータ(CuI蒸気発生手段)31及び熱電対32が装着されており、坩堝30の温度を測定し、その制御をすることができる。ここで、坩堝30内には、銅の成膜の原料となる粒子が充填されている。この粒子は、CuIで構成される。真空中で坩堝30を加熱することによって、CuI蒸気が生成され、基板100はこのCuI蒸気に曝される。基板100の温度Tsubを300°C程度とすることによって、絶縁体の上には何も堆積させず、導電性の金属材料の上においてのみCuを堆積させることができる。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

基板上に銅を成膜する銅の成膜装置であって、前記基板を減圧雰囲気下で内部に収容する成膜チャンバと、前記基板の温度を250〜350°Cの範囲とする基板加熱手段と、 CuI(ヨウ化銅(I))蒸気を前記成膜チャンバ中で前記基板に照射するCuI蒸気発生手段と、を具備することを特徴とする銅の成膜装置。

IPC (7件)：

H01L 21/285 , H01L 21/28 , H01L 23/532 , H01L 21/768 , H01L 21/320 , C23C 14/14 , C23C 14/04

FI (6件)：

H01L21/285 C , H01L21/28 301R , H01L21/88 M , H01L21/90 A , C23C14/14 D , C23C14/04 Z

Fターム (42件)：

4K029AA02 , 4K029BA08 , 4K029BB03 , 4K029BB07 , 4K029BC03 , 4K029BD02 , 4K029CA01 , 4K029DA01 , 4K029DA08 , 4K029DB05 , 4K029EA03 , 4K029EA08 , 4M104BB04 , 4M104BB37 , 4M104DD44 , 4M104DD45 , 4M104DD47 , 4M104FF17 , 4M104FF18 , 4M104FF22 , 4M104HH20 , 5F033HH07 , 5F033HH11 , 5F033HH32 , 5F033HH33 , 5F033JJ07 , 5F033JJ11 , 5F033JJ32 , 5F033JJ33 , 5F033KK11 , 5F033LL07 , 5F033MM01 , 5F033MM05 , 5F033MM13 , 5F033NN03 , 5F033NN07 , 5F033PP08 , 5F033QQ08 , 5F033WW00 , 5F033WW03 , 5F033WW05 , 5F033XX34

引用特許：

審査官引用 (5件)

回路基板
公報種別：公開公報出願番号：特願2010-181465 出願人：株式会社SKLink
半導体装置およびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-010066 出願人：松下電子工業株式会社
回路装置、回路装置の製造方法および半導体モジュール
公報種別：公開公報出願番号：特願2007-050757 出願人：三洋電機株式会社

全件表示

前のページに戻る