特許

J-GLOBAL ID：202303018548806854

固体半導体イオンセンサー

発明者： 茅根 創 ,  辺見 彰秀
出願人/特許権者： 国立大学法人 東京大学
代理人 (2件)： めぶき弁理士法人 ,  長谷川 洋
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2021-144727
公開番号（公開出願番号）：特開2023-037900
出願日： 2021年09月06日
公開日（公表日）： 2023年03月16日
要約：

【課題】 試料溶液と電極との反応による参照電極の劣化および参照電極の内部液の交換を不要とし、かつ長期使用にも優れた安定性を発揮する固体半導体イオンセンサーを提供する。 【解決手段】 本発明は、試料溶液中の特定イオンのイオン濃度を測定可能な固体半導体イオンセンサー1であって、特定イオンに感応するイオン感応膜12と、ゲート領域13Gを有し、イオン感応膜12に近づく電荷を伝導可能な絶縁膜15によりゲート領域13Gの表面が被覆された電界効果トランジスタ13と、試料溶液80と導通可能な膜であって、ゲート電位を検出可能なゲート電位検出膜20と、を備え、ゲート電位検出膜20は、炭素材料からなるシート部材22を備えることを特徴とする固体半導体イオンセンサー1に関する。 【選択図】図1

請求項（抜粋）：

試料溶液中の特定イオンのイオン濃度を測定可能な固体半導体イオンセンサーであって、 前記特定イオンに感応するイオン感応膜と、 ゲート領域を有し、前記イオン感応膜に近づく電荷を伝導可能な絶縁膜により前記ゲート領域の表面が被覆された電界効果トランジスタと、 前記試料溶液と導通可能な膜であって、ゲート電位を検出可能なゲート電位検出膜と、 を備え、 前記ゲート電位検出膜は、炭素材料からなるシート部材を備えることを特徴とする固体半導体イオンセンサー。

IPC (2件)：

G01N 27/414 ,  G01N 27/416

FI (2件)：

G01N27/414 301E ,  G01N27/416 353Z

引用特許：

出願人引用 (1件)

• イオン濃度センサ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-035871   出願人：三菱電線工業株式会社