特許

J-GLOBAL ID：202303019113798570

配位高分子膜、配位高分子膜の製造方法、水素発生用電極及び水素発生装置

発明者： 西原 寛 ,  田寺(長島) 佐代子 ,  前田 啓明
出願人/特許権者： 学校法人東京理科大学
代理人 (1件)： 弁理士法人太陽国際特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2022-195136
公開番号（公開出願番号）：特開2023-084127
出願日： 2022年12月06日
公開日（公表日）： 2023年06月16日
要約：

【課題】本開示は、優れた水素発生触媒能を有する配位高分子膜及びその応用を提供する。 【解決手段】下記式(1)で表される構成単位を含む配位高分子膜及びその応用。 JPEG 2023084127000008.jpg 70 85 【選択図】なし

請求項（抜粋）：

下記式(1)で表される構成単位を含む配位高分子膜。

IPC (5件)：

C25B 3/13 ,  C25B 1/04 ,  C25B 3/09 ,  C25B 9/00 ,  C25B 13/04

FI (6件)：

C25B3/13 ,  C25B1/04 ,  C25B3/09 ,  C25B9/00 A ,  C25B9/00 G ,  C25B13/04 301

Fターム (7件)：

4K021AA01 ,  4K021AC27 ,  4K021BA02 ,  4K021BA06 ,  4K021BB02 ,  4K021BB03 ,  4K021DB40

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 二次元金属錯体
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2016-129293   出願人：国立大学法人東京大学